北京
国家知识产权局信息显示，浙江众能半导体科技有限公司申请一项名为“一种多场耦合薄膜沉积制备方法”的专利，公开号CN122755833A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种多场耦合薄膜沉积制备方法，属于薄膜沉积技术领域。通过声、热、结晶耦合控制模型，在铺展阶段根据液膜厚度与温度实时解算激励频率以激发毛细波铺展，在溶剂残留量降至析晶临界点时瞬间切换至脉冲能量注入模式，利用机械能压低成核自由能势垒，实现全区高密度均匀瞬时成核；在退火阶段切换至低频驻波引导模式，诱导晶粒择优取向生长并消除残余应力。本发明还提供了针对曲面基板的法向声压梯度补偿、卷对卷生产的张力‑振幅动态补偿、高粘度浆料的声致剪切变稀、强化学习工艺优化、多组分梯度制备及驻波图案化沉积等技术手段，在多种复杂工况下均能获得全致密、高定向性、无针孔缺陷的高质量薄膜。
天眼查资料显示，浙江众能半导体科技有限公司，成立于2021年，位于杭州市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江众能半导体科技有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息3条，专利信息38条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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