中欣晶圆申请晶圆测试载台相关专利，提升晶圆测试的精度、温控稳定性与安全性

来源：新浪证券-红岸工作室

9月17日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“用于半导体晶圆测试载台及其控制方法”的专利。申请公布号为CN122766307A，申请号为CN202610834004.2，申请公布日期为2026年9月15日，申请日期为2026年6月10日，发明人李君，专利代理机构杭州融方专利代理事务所（普通合伙），专利代理师沈相权，分类号H10P72/78、F25B21/02、G01R31/28、H10P72/50、H10P72/00、H10P74/20。

专利摘要显示，本发明涉及一种用于半导体晶圆测试载台及其控制方法，所属半导体加工设备技术领域，包括基座、真空吸附模块、温控调控模块及视觉对位模块。真空吸附模块采用中心主吸附盘与边缘辅助吸附盘的两极设计；温控调控模块采用双向循环换热流道与加热制冷片结合的混合控温策略，并通过隔热衬垫与隔热支撑柱形成双重热阻断，保障驱动结构的热稳定性；视觉对位模块通过角度旋转器自适应调节光源与相机角度；中心与边缘吸附盘间设有边缘防护模块。实现了晶圆从预固定、视觉对位、姿态调整到完全吸附的平稳过渡。兼顾了大温差快速响应与高精度恒温维持，有效防止了晶圆边缘损伤及热变形导致的定位漂移，显著提升了晶圆测试的定位精度、温控稳定性与安全性。

天眼查数据显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司成立日期2017年9月28日，法定代表人贺贤汉，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本523559.0107万人民币，实缴资本122666.67万人民币，注册地址为浙江省杭州市钱塘区东垦路888号。杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息483条，拥有行政许可24个。

杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种直接检测熔汤温度的单晶炉测温装置和方法发明专利公布CN202611022169.62026-07-09CN122751328A2026-09-15高洪涛、杨凯、曹雁、芮阳、河野贵之、张友海2一种防边缘塌边的硅片磨片工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202611000756.52026-07-07CN122626084A2026-08-25缪燃3一种改善硅片边缘质量的抛光液及抛光工艺发明专利公布CN202610965685.62026-06-30CN122668633A2026-09-01姜翠兰、徐威楠、郭天天、张友海4半导体晶圆粗抛液精准配液装置及其配液方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610948076.X2026-06-29CN122516906A2026-08-07毛国领5倒角边缘硅粉残留吹扫装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610936296.02026-06-26CN122644334A2026-08-28方一栋6一种基于背光透射成像的重掺硅片通孔无损检测方法与系统发明专利公布CN202610912668.62026-06-24CN122671453A2026-09-01马艺迪7用于半导体晶圆测试载台及其控制方法发明专利公布CN202610834004.22026-06-10CN122766307A2026-09-15李君8校准ICP-MS前机台的清洗方法发明专利公布CN202610743000.32026-05-27CN122462314A2026-07-28苏慧云9晶圆边缘抛光真空吸盘抛布精准定位工装及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610714833.72026-05-22CN122645192A2026-08-28陈彬10硅片双面抛光抛光垫的贴附优化方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610460108.12026-04-09CN122442510A2026-07-24吴平11一种改善硅片平坦度和表面微观纳米形貌的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610433578.92026-04-03CN122033767A2026-05-15张文军12一种基于H发明专利实质审查的生效、公布CN202610435085.92026-04-03CN122318758A2026-06-30王鸣13LAP研磨液分流装置及其改进方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610401390.62026-03-30CN122099994A2026-05-29孙贵昌14研磨机磨轮牙齿边缘视觉识别与磨损程度评估算法发明专利实质审查的生效、公布CN202610381764.22026-03-26CN122335698A2026-07-03冯黎明15一种能准确检出重掺品单晶气孔不良率的检出系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610364165.X2026-03-24CN122305916A2026-06-30张晨阳、康海洋、蔡敏杰16减少清洗后硅片表面残留水的装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610357091.72026-03-23CN122008067A2026-05-12石建群17硅片研削设备平坦度TTV稳定性加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610357084.72026-03-23CN122299516A2026-06-30苏鹏辉18一种边缘腐蚀机生产工艺中的柔性可调水平暂存台系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610300126.32026-03-12CN122126635A2026-06-02万琨19一种外延污染监控硅片及其生产方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202610299599.62026-03-12CN122180364A2026-06-09孙若力20基于BBS边抛机移载机的柔性合夹、移位、清洗系统及处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610264655.22026-03-05CN121972433A2026-05-05金忠谱21一种半导体外延片工艺中降低硅片翘曲度的系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610191045.42026-02-10CN122270106A2026-06-23吴瑶22针对硅片黑十字光消失原理的产品单晶缺陷锁定系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610152360.62026-02-03CN122108938A2026-05-29任梦23CMP设备的研磨液精准供给系统及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610128880.32026-01-30CN121733440A2026-03-27刘肖24用于超低电阻硅片的电容式平坦度测量装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610128881.82026-01-30CN122015634A2026-05-12张迪25基于复合化学机械抛光与低损伤等离子蚀刻的晶圆表面协同处理工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202610124745.12026-01-29CN122206247A2026-06-12裴宁26一种硅片片盒传递的分选机取送料系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610101895.02026-01-26CN122057704A2026-05-19张晨阳、康海洋、蔡敏杰27改善最终外观目检台聚光灯消耗的结构及其降本增效方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610066824.12026-01-19CN121782552A2026-04-03李林秀28通过颗粒测试机台测试热氧化后先行片孪晶缺陷的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610066826.02026-01-19CN122094438A2026-05-26宋金会29一种减少硅片DIC异常的柔性吸附转移系统及放置方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610066822.22026-01-19CN122094437A2026-05-26侯文艺30针对成品晶圆的包装盒可视检测系统及码放精度测量方法发明专利公布CN202610021292.X2026-01-08CN121829314A2026-04-10王伟东31提升硅片表金属清洗效率且环境友好型的工艺方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610021291.52026-01-08CN122054939A2026-05-15毛攀32一种修整8英寸硅片抛光站陶瓷盘的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037297.X2025-12-31CN121696834A2026-03-20张森阳33检测晶体微小缺陷的方法发明专利公布CN202512046375.22025-12-31CN121830714A2026-04-10何珍碧34一种提升硅片良率的多位置快速吸附机构及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512046368.22025-12-31CN121888919A2026-04-17石建群35一种8吋硅片酸腐蚀加工工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202512037300.82025-12-31CN121888881A2026-04-17缪燃36降低LPCVD工艺中单晶硅片翘曲度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512046344.72025-12-31CN121874744A2026-04-17崔涛、李鹏37一种提高晶圆双面抛光表面质量的化学机械抛光液及抛光方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037304.62025-12-31CN121895868A2026-04-21马成智38一种降低边缘抛光碎裂片的加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037302.72025-12-31CN121946339A2026-05-01徐威楠39一种提高重掺红磷单晶成晶率的热屏辐射装置发明专利实质审查的生效、公布CN202512020705.02025-12-30CN121874901A2026-04-17王忠保、张友海、杨凯、芮阳、倪浩然、白园、赵娜、李俊丽40一种可调节的硅片粗糙度的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512020706.52025-12-30CN121908871A2026-04-21李媛41一种IGBT用硅单晶轻掺厚外延片的外延层厚度在线检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512020699.92025-12-30CN121908855A2026-04-21郭体强、齐旭东42一种用于半导体晶圆化学机械抛光的低缺陷率复合抛光液及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512020703.12025-12-30CN121950188A2026-05-01姜翠兰43基于晶圆倒角机的缓冲吸附机械手系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512007568.72025-12-29CN121696852A2026-03-20杜书红44一种应用于硅片的抛光液自动配比供应系统及控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511988919.02025-12-26CN121879445A2026-04-17李炎45一种高生长速率的EPI生产方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511982257.62025-12-25CN121915492A2026-04-24赵博46一种检测亲水性硅片表面金属的ICP-MS进样装置及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511965099.32025-12-24CN121805386A2026-04-07苏慧云、戴潮47颗粒检测仪在测试过程中被吸附颗粒的改进方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511953352.32025-12-23CN121877674A2026-04-17郑斌48转品名自动核对的技术方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511953332.62025-12-23CN121958521A2026-05-01张靖49针对晶圆片盒内金属含量的防污染检测系统及快速检测方法发明专利公布CN202511941811.62025-12-22CN121678728A2026-03-17苏慧云、周桂丽、戴潮50一种降低硅抛光片体镍含量的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511938463.72025-12-22CN121888877A2026-04-17高威、张森阳