北京
国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（广东）有限公司申请一项名为“刻蚀方法以及半导体制品”的专利，公开号CN122766258A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本公开提供了一种刻蚀方法以及半导体制品，属于半导体技术领域。所述刻蚀方法包括：提供一基片，所述基片包括待刻蚀层和层叠在所述待刻蚀层表面上的光刻胶层，所述光刻胶层中具有多个图形窗口；对所述光刻胶层进行加热，使得所述图形窗口的侧壁轮廓转变为顶部开口尺寸大于底部开口尺寸，且所述顶部侧壁呈弧面过渡的扩展形貌；在所述光刻胶掩模的遮盖下，对所述待刻蚀层进行刻蚀，在所述待刻蚀层中形成多个通孔，所述通孔包括沿刻蚀深度方向依次相连的上部孔段和下部孔段，所述上部孔段的侧壁倾角小于所述下部孔段的侧壁倾角，且所述上部孔段顶部侧壁呈弧面过渡。本公开可以改善金属在通孔内的填充性能。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（广东）有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本186000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（广东）有限公司参与招投标项目31次，专利信息193条，此外企业还拥有行政许可112个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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