北京
国家知识产权局信息显示，江苏苏格微电子有限公司申请一项名为“半导体器件结构及其制备方法”的专利，公开号CN122766034A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件结构及其制备方法，包括高电子迁移率晶体管与肖特基二极管串，高电子迁移率晶体管包括依次间隔排布的源极、栅极和漏极，肖特基二极管串连接于源极与栅极之间，且包括至少一对反向串联的肖特基二极管。通过将高速的肖特基二极管串直接并联在高电子迁移率晶体管的栅源之间，利用其纳秒级的超快开关速度，能够实时、精准地钳制由高速开关引起的瞬态栅源电压尖峰。其响应速度远快于传统驱动芯片内部的保护电路或外部分立RC缓冲电路，从而有效抑制了载流子注入和隧穿效应，显著提升了氮化镓器件在高压高频应用中的栅极可靠性和长期工作寿命。同时，该半导体器件结构简洁，易于实现单片集成，不显著增加系统复杂性和成本。
天眼查资料显示，江苏苏格微电子有限公司，成立于2026年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏苏格微电子有限公司专利信息2条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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