国家知识产权局信息显示,华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“铁电存储器及其制作方法”的专利,公开号CN122765975A,申请日期为2026年6月。
专利摘要显示,本发明提供了一种铁电存储器及其制作方法,该铁电存储器包括:基底及位于基底内的晶体管,所述晶体管包括源极和漏极;还包括位于基底内的电容器,所述电容器包括下电极层,所述下电极层与所述晶体管的源极通过填充的第一栓塞直接电学连接。该存储器中的电容器位于选择管上方构造的沟槽中,易于实现更高存储密度;此外,电容器构建于ILD中,不引入新介质层,在逻辑工艺的基础上,仅需新增一道沟槽刻蚀掩模版,工艺实现简化的同时成本优势明显,并且更易与逻辑工艺进行整合。
天眼查资料显示,华虹半导体(无锡)有限公司,成立于2017年,位于无锡市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体(无锡)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目2953次,专利信息2195条,此外企业还拥有行政许可119个。
上海华虹宏力半导体制造有限公司,成立于2013年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析,上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业,参与招投标项目947次,财产线索方面有商标信息39条,专利信息7961条,此外企业还拥有行政许可465个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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