北京
IT时代网9月16日消息，据Chosun报道，有消息称 SK 海力士正考虑与英特尔合作，在美国生产存储器半导体。
据多位消息人士透露，英特尔正在讨论一项方案，由 SK 海力士租用其俄亥俄州工厂的部分厂房，该工厂计划在 2030 年至 2031 年间完工。此外，由英特尔、SK 海力士以及有意锁定存储器供应的主要云计算企业共同出资、组建合资公司的方案，也在讨论之列。
谈判目前仍处于早期阶段，包括将生产哪些产品、投资规模在内的细节均未最终确定。
若合作落地，这将是 SK 海力士首次在美国获得存储器生产设施。该公司正投入 40 亿美元在印第安纳州建设 AI 半导体先进封装工厂，但在美国并不运营生产 DRAM 或 NAND 闪存晶圆的工厂。
英特尔在 2019 年向美光出售了 IMFT 股权，SK 海力士此前收购的英特尔 NAND 与 SSD 业务（现为 Solidigm）因此不包含任何在美前端晶圆厂，其印第安纳州的新建基地同样属于半导体后端设施。分析人士把这一动向归因于全球存储器供应紧张。
另有消息人士提到，如果 SK 海力士选择在美国生产存储器，该项目势必将受到韩国政府依据该国《工业技术保护法》进行的严格审查。SK 集团会长崔泰源曾在 7 月表示，不仅湖南地区，美国也应该建厂，如果可能的话应该建。
SK 海力士回应称，公司正在审查各种措施，包括建立额外的生产基地，以增强存储器业务的竞争力，但目前尚未确定任何事项。英特尔则表示，公司正继续在俄亥俄州的投资，为该站点做好准备。
编辑：林一舟
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