传某存储原厂内存条/SSD增产靠外援，自有产能攻HBM；美光512GB DDR5 RDIMM明年下半年量产；三星电子HBM基础芯片供应策略生变

【每日热点速读】

1、传三星电子DDR5/SSD增产靠外援，自有产能全力抢攻HBM

2、美光推出512GB DDR5服务器内存模块，预计2027年下半年量产

3、转向“双轨制”？消息称三星电子HBM基础芯片供应策略生变

4、SK海力士已就2026年工资和集体谈判达成最终协议

5、联发科天玑9600 Pro发布：采用台积电2nm工艺，支持 LPDDR6

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传三星电子DDR5/SSD增产靠外援，自有产能全力抢攻HBM

面对人工智能需求爆发带来的高带宽内存（HBM）供应紧张，三星电子正全面调整其存储芯片的后段生产策略。据韩媒引述业界消息，三星电子决定将PC、服务器和笔记本电脑所需的DDR5内存模块及SSD等增产部分，全部交由OSAT合作伙伴承接，不再扩充自有产能，以便将有限的内部资源集中投入到HBM等高附加值内存产品的生产中。

内部产能吃紧，通用模块增产全面外包

三星电子正积极要求OSAT合作伙伴扩大生产线，以应对不断增长的通用内存模块需求。据消息人士透露，三星电子从去年6月起就已要求合作厂商扩大DDR5通用内存模块和SSD生产线的投资，今年更是向合作厂商提出了提前推进原有扩产计划的建议。

这一决策的核心原因在于三星电子内部生产设施的极度紧张。随着AI半导体市场需求的攀升，三星电子正将韩国天安、温阳等地封装工厂的空间与设备重新调整，优先用于建设包含HBM在内的先进封装产线。业内人士透露，三星电子缺乏空间扩建AI半导体制造所需的既有后段生产线，对于通用内存模块，即便需求上升，公司也决定不再自行增产，大部分交由外包处理。

将DDR5内存模块和SSD的生产外包在技术上完全可行。DDR5内存模块及SSD的组装主要是将预先封装好的DRAM、NAND芯片与被动元件通过表面贴装技术（SMT）贴装到印刷电路板（PCB）上。这一工艺的技术难度远低于HBM等先进封装，依靠外包合作厂商也能充分扩大产能。

战略重心全面转向AI内存

三星电子的这一调整是其整体战略重心向AI内存转移的缩影。近年来，HBM作为AI加速器的关键组件，需求每年以70%的速度增长。由于HBM的利润率远高于通用内存，且在AI加速器设计中不可替代，三星电子正不惜代价提升HBM产能。

此前，三星电子已将天安工厂的Exynos智能手机应用处理器封装规模压减，将生产能力转向优先HBM封装。同时，还计划将平泽P4设施的1c DRAM月产能提升至20万片，以支持HBM的前端产出。

通过将通用内存模块增产全面外包，三星电子能够更高效地利用有限的生产设施，确保在竞争激烈的HBM市场中占据有利地位。这一策略不仅反映了存储行业在AI时代的深刻变革，也预示着未来内存市场的供应格局将进一步向高附加值产品倾斜。

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美光推出512GB DDR5服务器内存模块，预计2027年下半年量产

美光科技宣布，已成功在多个服务器平台上展示全球首款512GB DDR5内存模块，最高速率可达9200 MT/s。这为企业数据中心和云客户提供了一条路径，以更高效率支持大规模且高要求的 AI、分析、内存数据库和仿真密集型工作负载。据悉，AMD和英特尔均在积极对该内存模块进行验证。

该模组高容量的实现得益于美光先进的垂直互连封装创新。该产品通过硅通孔（TSV）将DRAM裸片垂直堆叠并互连，在单个DRAM封装内最大化密度，同时保持现代数据中心架构所要求的性能。该模组在单台24槽双路服务器中最高可支持12TB DDR5 DRAM。美光表示，512GB RDIMM内存条可支持多TB级服务器，从而在现有服务器空间内实现更大的AI和数据库工作负载、更高的虚拟化密度和更高的能效。

大型语言模型 (LLM)、智能体人工智能、实时推理和高核心数 CPU 工作负载的快速普及，推动了对更大服务器内存容量、更高带宽和更佳能效的需求。与四条128GB RDIMM内存条相比，新款512GB RDIMM内存条还提高了能效，降低了60%以上的运行功耗。对于内存密集型工作负载，如基于 Spark 支持向量机（SVM）的数据分析，美光512GB RDIMM相比256GB DDR5配置可提供高达1.4倍的性能提升。该512GB模组还为内存密集型数据库和缓存平台（包括 RocksDB 和 Redis）带来显著优势，可提升吞吐量、增加并发性，并帮助更高效地扩展数据集。

美光预计，512GB RDIMM将于2027年下半年开始量产，以满足客户需求。

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转向“双轨制”？消息称三星电子HBM基础芯片供应策略生变

随着定制HBM时代的到来，三星电子的高带宽内存（HBM）Base Die（基础裸片）供应战略正迎来重大调整。

据韩媒报道，三星计划打破以往完全依赖内部晶圆代工部门生产的模式，转而采取同时利用台积电工艺制造Base Die的“双轨制”战略。

定制HBM允许在芯片内部搭载英伟达等科技巨头所需的特定逻辑功能，市场预期其未来需求将激增。为了灵活应对多样化的客户需求，三星电子正致力于提升Base Die供应链的灵活性。

行业背景：Base Die重要性日益凸显

据韩媒引述业界消息，三星电子计划在定制HBM的Base Die上，同时采用三星晶圆代工和台积电的工艺。

HBM的结构由垂直堆叠多个DRAM的核心裸片（Core Die）以及位于其下方的Base Die组成。Base Die负责连接内存与系统半导体，实现数据的高速收发。

随着HBM世代的演进，Base Die的重要性与日俱增。从HBM4起，Base Die的制造已从传统的DRAM工艺转向晶圆代工工艺。相比DRAM工艺，晶圆代工工艺更有利于在Base Die上集成更多功能，并提升性能与能效。

定制HBM时代与“NVHBM”的登场

在即将到来的定制HBM时代，Base Die将迎来重大变革。定制HBM的核心概念是根据客户需求，在Base Die上定制化搭载特定功能。这要求从产品设计到制造的整个过程中，客户、内存厂商与晶圆代工企业之间进行紧密合作。

典型的案例便是“NVHBM”。这是英伟达上月发布的定制HBM架构，其核心在于将原本位于AI加速器中的内存控制器功能转移至HBM Base Die上。该架构计划从HBM4E开始应用，相比标准HBM4E，其内存带宽最高可提升30%，功耗最多可降低15%。

目前，亚马逊被认为是NVHBM的首个应用客户。亚马逊旗下的半导体开发组织Annapurna Labs已决定利用NVLink Fusion和NVHBM技术，设计下一代AI加速器“Trainium4”。

三星电子的“双轨制”供应链战略

供应链结构也将随之改变。此前，三星电子一直通过内部的系统LSI事业部和晶圆代工事业部，自行采购HBM所需的Base Die。

报道称，在NVHBM等定制HBM产品中，三星将引入台积电制造的Base Die。这意味着，在三星的HBM核心裸片之上，将根据客户需求，混合搭载由三星晶圆代工制造的Base Die和由台积电制造的Base Die。

据知情人士透露，三星电子计划根据客户要求，在NVHBM的Base Die上采用内部晶圆代工和台积电的双轨制。具体的采用与否及比例，将取决于最终的客户需求。

灵活供应优于“交钥匙”模式：内存事业部主导

据悉，若三星电子HBM的Base Die由台积电制造，相关的芯片设计与优化支持工作将由三星电子内存事业部负责。内部系统LSI事业部仅负责设计面向三星晶圆代工的产品。

另一位相关人士解释称，目前已有系统LSI事业部的人员调任至三星电子内存事业部，台积电Base Die的相关工作正是由这部分人员负责。他还透露，目前已有客户正在使用三星HBM核心裸片与基于台积电工艺的Base Die进行产品设计。

另一方面，业界分析认为，三星电子将定制HBM Base Die供应源一分为二，是为了在供应链层面避免孤立。

目前，台积电已凭借自身的晶圆代工及封装工艺，与英伟达等全球科技巨头建立了稳固的供应链，在稳定性和性能方面备受客户青睐。在这种情况下，如果三星电子一味坚持自家晶圆代工的“交钥匙”（Turn-key，即一站式生产）模式，将很难满足客户多样化的定制需求。

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SK海力士已就2026年工资和集体谈判达成最终协议

SK海力士16日宣布，劳资双方已就2026年工资和集体谈判达成最终协议。修订后的协议调整了股票期权比例，并扩大了员工的选择权。

修订协议的核心在于扩大员工在绩效奖金支付方式方面的选择。原协议规定现金与股票的比例为40%比60%，而修订后的方案将其调整为现金与股票各占50%。此外，现金部分被细分为若干部分，允许以10%为单位转换为股票，这意味着员工可以根据自身意愿选择以股票形式领取全部奖金。

此外，协议中明确规定在公司出现财政赤字时延期支付工资的条款，被解读为劳资双方有意共同承担责任，携手克服危机。

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联发科天玑9600 Pro发布：采用台积电2nm工艺，支持 LPDDR6

联发科正式发布新一代旗舰 5G 智能体 AI 芯片——天玑 9600 Pro。作为安卓阵营首批迈入 2nm 制程的移动平台，该芯片在核心性能、AI 算力及存储规格上均实现了显著跃升。

制程工艺：行业首批采用台积电 2nm（N2P）工艺，集成超过 330 亿个晶体管。

CPU 架构：采用“2+3+3”全大核设计，包含 2 颗主频高达 4.55GHz 的 C2-Ultra 超大核、3 颗 4.35GHz 的 C2-Pro 大核以及 3 颗 3.1GHz 的 C2-Pro 大核，配备 34.5MB 的总缓存容量。

存储支持：率先支持 LPDDR6 内存（兼容 LPDDR5X）与 UFS 5.0 闪存。LPDDR6 内存性能较上一代提升 33%，有效提升了数据读写与多任务处理效率。

GPU 性能：集成 12 核 Mali-G2-Ultra-NX GPU，支持硬件级光线追踪。官方宣称其峰值性能提升 27%，功耗降低 24%。

AI 算力：搭载双 NPU 架构（超性能 NPU 1090 + 超能效 NPU 2.0），官方表示其大语言模型预填充性能提升 51%，支持端侧运行 30B 混合专家模型（MoE）。