武汉新芯孙鹏：光电互联照亮AI高速路，以“芯光计划”锚定算力革命新底座

9月9日，以“跨界融合·全链协同，共筑特色芯生态”为主题的IICIE国际集成电路创新博览会在深圳国际会展中心开幕。在当日举行的集成电路创新高峰论坛上，武汉新芯集成电路股份有限公司总经理孙鹏发表《光联智算·加速算力革命》主题演讲，指出AI大模型与场景应用的规模化落地正推动半导体产业进入全新超级周期，而高速光互联与光电融合技术将成为突破算力瓶颈、支撑万卡级集群的核心底座。

供需剪刀差凸显，上游硬件成产业瓶颈

进入AI时代，基础大模型多极化发展叠加端侧、汽车、数据中心、具身智能等场景的全面商业化，正开启产业第五轮增长周期。孙鹏判断，AI驱动的半导体市场强劲增长并非短期溢价，而是具有真实需求支撑的长期趋势。

但增长背后，供需矛盾正日益尖锐。孙鹏指出了一个关键的“剪刀差”，即大模型对算力和芯片的需求每4个月就迭代一次，而传统集成电路的工艺迭代周期为18至24个月，建设一条生产线从开工到批量供应至少需要24个月。“需求侧和供应侧存在巨大的分歧”，孙鹏强调，“越往上游的硬件，越来越成为未来制约发展的重要瓶颈。”

他进一步指出，产业链各环节对未来的预判并不完全一致，导致配套协同发展存在落差，间接加剧了供应紧张。与此同时，在消费侧，自动驾驶、车联网以及具身智能体等新应用场景不断涌现，对集成电路芯片和光电融合提出了越来越场景化的需求。

电互联触顶，光互联成算力底座关键赛道

当算力集群向万卡级规模扩展时，传统电互联在带宽容量、传输距离、系统功耗与数据延迟等方面的物理限制逐步显现。孙鹏指出，光互联功耗在系统中的占比已超过10%，高速光互联已成为支撑AI算力底座的关键赛道之一。

从带宽演进来看，单通道100G已非常成熟，200G在2026年有望看到大规模终端产品应用。但到了400G时代，技术路径可能产生分歧，目前行业尚未形成统一共识。“这也是我们作为制造技术从业者，和产业上下游共同突破创新的机会”，孙鹏表示，武汉新芯不仅在硅光路线上布局，也在其他可能出现的赛道提前做技术预研。

从产业技术路线来看，光互联正沿着可插拔—NPO近封装光学—CPO共封装光学的路径持续演进。孙鹏判断，NPO是国内产业生态最为接近、也最为可行的实现路径，国内在传统可插拔光模块之后将快速推动NPO场景落地，并带动相关标准建立，对国内外产业生态产生长远影响；CPO则还需要一定时间，但会在不久的将来成为产业共识。

武汉新芯以“光感互联、三维存算”构建一站式能力

面对AI算力的产业浪潮，武汉新芯确立了“光感互联、三维存算”的核心技术战略，并以此为依托全面推进“芯光计划”。通过实施该计划，武汉新芯以“存+算、光+电”的跨界融合思路，构建硅光芯片（PIC）、锗硅电芯片（EIC）、光电共封三大技术平台，形成覆盖从可插拔模块到NPO、CPO全场景的一站式服务能力。

在硅光平台方面，武汉新芯40nm Sipho平台已实现量产突破。Gen1产品支持100G/lane速率，目前处于量产阶段；Gen2产品支持200G/lane速率，覆盖C波段，匹配NPO封装需求，目前处于早期量产与初期送样阶段；面向更高带宽的Gen3产品规划支持400G/lane速率，配套CPO封装所需的调制器、耦合器等核心器件。孙鹏同时强调，400G时代技术路径尚未收敛，公司在硅光及其他潜在赛道同步开展预研。

在锗硅平台方面，孙鹏坦言，当前数据中心的电芯片几乎仍依赖海外供应，国内设计企业已崭露头角，但制造端依然是国内巨大的产业空白。武汉新芯已于2026年正式启动基于40nm的电芯片工艺开发平台的搭建。

孙鹏重点强调了武汉新芯"PIC+EIC双平台协同"的技术优势。通过PDK共享、光电联合仿真、同步流片、系统级验证的闭环研发体系，武汉新芯实现了硅光芯片与电芯片的协同优化，不仅能够简化供应链、缩短研发周期、加速产品迭代，还能实现阻抗精准匹配、降低传输误码率，打造更高性能、更低成本的光引擎方案。

在先进封装层面，武汉新芯依托自主3DLink三维集成技术，构建了从2.5D到3D的完整封装能力，该技术已量产至少三代。针对NPO场景，采用Micro BUMP+PIC interposer（光学转接板）方案；面向更高集成度的CPO场景，则通过Hybrid Bonding混合键合技术，实现PIC、EIC与ASIC芯片的高密度三维集成。孙鹏特别提出了"光学转接板（Optics Interposer）"的解决方案，这是武汉新芯基于2.5D多年积累和3D异构整合能力提出的差异化技术主张。

此外，在2.5D Interposer领域，武汉新芯已很好地满足了国内近一两年产业方的各方面需求，解决了相当多的产业问题。未来在CoWoS类系统中，将进一步推动系统整体性能跃迁。

多元技术布局，RF-SOI、FD-SOI与三维集成

除光互联核心赛道外，武汉新芯还在多个前沿领域持续布局。在RF-SOI领域，公司已深耕近5年，首先在射频5G、即将推向市场的6G以及空间信息传输的更高频率（毫米波）等方向落地，未来将逐渐把RF-SOI解决方案推向与3D集成结合的工艺。

在FD-SOI领域，武汉新芯已完成了第一代技术的小批量市场应用。未来将持续迭代，为国内端侧AI芯片设计公司提供更好的制造平台服务。

在三维集成技术路线上，武汉新芯规划了从3Dlink-M系列（晶圆级混合键合）、3Dlink-Hi系列（芯片级混合键合+FD/Logic）到CoS系列（NPO/XPO大面积异构集成）的完整技术梯队，服务于存储、近存计算及光电共封等多元应用。

“光电互联会照亮AI的高速路。”孙鹏强调，在存算与光的融合中，需要设计公司、终端厂商与制造端联合协同创新，共同实现工艺突破，这也是武汉新芯推出“芯光计划”的核心初衷。武汉新芯将秉承以长期技术底座为支撑、稳定交付供应为保障、客户定制化服务为核心的理念，依托“芯光计划”持续向产业链开放制造能力，一言以蔽之——以客户为中心，提供制造端的创新产业价值。