北京
国家知识产权局信息显示，中电海康集团有限公司申请一项名为“一种高可靠自旋轨道矩存储器磁存储单元写入方法”的专利，公开号CN122761922A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明提供一种高可靠自旋轨道矩存储器磁存储单元的写入方法，在自旋轨道矩层写入电压开启的状态下，通过在隧道结上施加电压调控隧道结上的自由层势垒以强化SOT磁性存储单元写入状态的确定性，其中，所述方法包括：在自旋轨道矩层施加写电压，在写入电压导致存储单元自由层磁化方向形成了沿目标磁化方向投影分量之后，向磁隧道结叠层施加势垒增加电压，以增强隧道结自由层翻转跳回的势垒，确保自由层磁化方向在写入电压的驱动下平稳完全进动到目标磁化方向。发明所提供的高可靠自旋轨道矩存储器磁存储单元的写入方法，通过调控写入过程中的磁自由层势垒，阻止磁化状态因可能的热、磁及其他干扰而跳回到原来状态，减小写入失误并降低写入错误率。
天眼查资料显示，中电海康集团有限公司，成立于2002年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本94500万人民币。通过天眼查大数据分析，中电海康集团有限公司共对外投资了39家企业，参与招投标项目465次，财产线索方面有商标信息66条，专利信息603条，此外企业还拥有行政许可14个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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