北京
分享至
国家知识产权局信息显示，贰陆特拉华股份有限公司申请一项名为“反应结合碳化硅上的低应力光学表面化”的专利，公开号CN122751131A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本申请涉及反应结合碳化硅上的低应力光学表面化。提供了用于在反应结合碳化硅上低应力光学表面化的系统和方法。基于反应结合碳化硅（RB‑SiC）的结构可以包括基底、在基底的顶部上的基于物理气相沉积（PVD）或其他合适的真空沉积（VD）的光学层、以及可选地直接布置在基底的表面上的一个或多个基于PVD（或其他合适的真空沉积（VD）技术）的粘合层。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
