北京
闪迪（Sandisk Corporation）宣布已开始送样其第十代 3D NAND 闪存技术 BiCS10 1Tb TLC。BiCS10 采用先进的横向缩放技术，实现了业界领先的 1Tb TLC 存储密度，超过 29Gb/mm²，比特密度提升 59%，同时接口速度最高可达 4.8Gb/s，与目前量产的第八代 3D 闪存相比提升 33%。
基于 Sandisk 经过验证的位成本可扩展（Bit-Cost Scalable, BiCS）3D NAND 架构和 CMOS 直接键合阵列（CMOS directly Bonded to Array, CBA）技术，BiCS10 TLC 还提升了数据输入/输出能效——与上一代 BiCS8 相比，输入功耗降低 10%，输出功耗降低 34%。
"随着世界变得更加互联、数据密集和智能化，NAND 在提供现代计算所需的性能、效率和规模方面扮演着越来越关键的角色，"Sandisk CTO Alper Ilkbahar 表示。"BiCS8 通过将我们的晶圆键合能力与密度、性能和能效方面的显著提升相结合，为 3D NAND 树立了新的基准。借助 BiCS10 TLC，我们在这一经过验证的基础上继续构建，为客户提供更快的接口速度、更高的比特密度和更好的能效。"
NAND 闪存是当今最具可扩展性的半导体技术之一，也是 Sandisk 产品的基础。BiCS10 通过持续创新密度、能效和架构，推进了 Sandisk 的 NAND 长期技术路线图。它建立在 Sandisk 的 CBA 技术之上——该技术先在不同晶圆上制造 CMOS 逻辑和存储阵列，然后通过高精度晶圆对晶圆对准将两者键合在一起。
BiCS10 TLC 将存储层数增加至332 层，并集成了 Toggle DDR6.0、SCA 协议和 PI-LTT 技术，以支持高速、低功耗运行。这一送样里程碑延续了 Sandisk 的 BiCS 路线图，通过提升密度、能效和耐用性，旨在支撑下一代数据密集型和 AI 驱动的工作负载。
BiCS10 TLC 关键技术亮点：
- NAND 接口速度最高达 4.8Gb/s，提升 33%
- 332 层存储阵列，优化的平面效率使比特密度提升 59%
增强的数据输入 / 输出能效，输入功耗降低 10% ，输出功耗降低 34%
支持 Toggle DDR6.0 、 SCA 协议 ¹ 和 PI-LTT 技术 ² ，实现高速低功耗运行
Sandisk 在闪存创新方面持续领先——从不断增加的每单元比特数，到控制器架构、固件、封装和系统级闪存技术的进步——全方位提升大规模闪存的性能、效率和实用性。凭借独特的领先 IP 组合和全球制造布局，Sandisk 掌控着从设计、制造到最终组装的整个生产生命周期，实现了卓越的质量控制、成本效率、更快的上市速度和强大的供应链韧性。
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