上海
9月14日，受全球AI芯片需求激增拉动，台积电（TSM.US）计划从明年起对先进制程大规模扩产。消息人士称，台积电已向供应链公布明年2纳米、3纳米扩产目标：尖端2纳米制程晶圆月产能今年底将达9万片，明年年中将提升约22%至11万片；3纳米制程月产能去年底为12万～13万片，今年底目标18万片，明年年中目标再提升16%以上至21万片。这意味着2025年末至2027年中，3纳米月产能将增长约70%。
台积电正增加相关资本开支，预计明年营收将刷新历史纪录。为满足3纳米需求，除在中国台湾、美国亚利桑那州、日本新建晶圆厂外，还将部分5纳米产线设备改造转产3纳米。此外，继开发埃级A16芯片后，台积电已启动A14、A13、A12技术研发，正与ASML合作引入12英寸光罩。
此前台积电在二季度业绩说明会上表示，AI芯片需求旺盛，2029至2030年订单能见度已确认，并上调年度资本开支预期由原先500亿美元区间至600~640亿美元，约70%~80%投入先进制程。另悉，为满足英伟达（NVDA.US）等对先进封装技术CoWoS需求，台积电正扩充七厂产能并在美亚利桑那布局，计划至2028年末月产能提升至26万片。台积电拒绝对此直接置评。
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