北京
国家知识产权局信息显示，山东华光光电子股份有限公司申请一项名为“一种具有复合电子阻挡层的半导体激光器外延结构及其制备方法”的专利，公开号CN122739906A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种具有复合电子阻挡层的半导体激光器外延结构及其制备方法。所述半导体激光器外延结构自下到上依次包括衬底、第一限制层A、第一限制层B，第一波导层、有源区、第二波导层、复合电子阻挡层、第二限制层和接触层；所述复合电子阻挡层自下而上包括第一子层和第二子层；第一子层为单层或多层的高铝组分的AlGaN层；第二子层为低铝组分的AlGaN层或GaN层，掺杂元素为Mg。本发明采用第一子层高效阻挡电子泄漏，第二子层降低镁激活能、提升空穴浓度，从而有效提升电光转换效率，降低阈值电流与腔面温升，增强高功率下稳定性与长期可靠性，适用于蓝绿光、紫光及紫外波段高功率氮化镓基激光器。
天眼查资料显示，山东华光光电子股份有限公司，成立于1999年，位于济南市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6264.6666万人民币。通过天眼查大数据分析，山东华光光电子股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目636次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息828条，此外企业还拥有行政许可15个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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