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国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“用于高带宽存储器系统中基础管芯放置的技术”的专利，公开号CN122742756A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，公开了用于高带宽存储器（HBM）系统中的基础管芯放置的技术。在说明性实施例中，HBM管芯堆叠的基础管芯或接口管芯可以被定位在HBM管芯堆叠的中间。与将接口管芯定位在底部相比，将接口管芯定位在中间可以更好地平衡HBM管芯堆叠中各种存储器管芯之间的时序。平衡的时序可以提高性能，从而允许堆叠中更高的带宽和/或更多的HBM存储器管芯。穿硅通孔从接口管芯延伸，穿过一个或多个存储器管芯，并且到达HBM管芯堆叠底部处的微凸块。在一些实施例中，接口管芯可以被定位得更靠近HBM管芯堆叠的顶部或被定位在HBM管芯堆叠的顶部处，更靠近热沉。这种放置可以便于从接口管芯散热。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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