新闻1️⃣:芯片架构从平面变 3D,专家解读华为麒麟 9050 Pro 新突破
9 月 8 日消息,在昨天的 HarmonyOS 7 | HUAWEI Mate XT 2 及全场景新品发布会上,华为 Mate XT 2 非凡大师全新展翼三折叠手机正式发布,首发麒麟 9050 Pro 芯片、首搭硬件级防窥,19999 元起。
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据央视财经今日报道,华为新一代三折叠手机 Mate XT 2 整机性能较上一代提升 42%。这是首款在新原则下采用逻辑折叠技术的芯片,也是华为在半导体领域的一次重要探索。
关于新芯片背后的指导原则和技术,以及具体落地后将带来怎样的产业影响。华为半导体首席科学家廖恒近期对外介绍,关键是在上下两层裸芯片之间形成了高密度的垂直互联。他以麒麟 2026 芯片为例,两层裸芯片之间有约 5000 万个连接,其中约 500 万到 1000 万个被用于信号通信,远高于 3D 封装中两个裸芯片之间几万至几十万个连接的量级。
相当于两座城市之间,从通常几万部电梯连接,变成了拥有 500 万到 1000 万部真正运送信息的电梯。
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中国科学院院士、半导体物理专家褚君浩认为,相关理论和技术为中国乃至全球集成电路产业发展打开了新思路。当前在摩尔定律发展路径下,芯片已微缩至几纳米的制程,越来越逼近物理极限。而现在有了理论层面的创新突破,电路架构可以变成三维立体,信号传输更快,通过“时间缩微”来实现技术路线的创新。
他认为,未来产业还需要时间积累,从芯片和系统设计、材料、散热、封装到标准,都有大量工作要推进,国内集成电路产业链上下游将迎来新的发展机遇。
国际数据公司全球及中国副总裁王吉平表示,新技术好比“把盖平房变成盖楼房”。除了手机芯片外,未来这一技术还有望应用于个人电脑等终端和服务器等领域。产业链角度来看,散热材料、电池材料等方面都可能需要变革,鸿蒙生态和 AI 相关应用也需要进一步迭代。
据IT之家了解,此次麒麟 9050 Pro 处理器的发布,是华为继 Mate 40 全球发布会之后,时隔六年在旗舰发布会上推出全新麒麟芯片。其在单芯片内将逻辑单元分层排布,如同从平层升级为复式,内部增设垂直互联通道,信号传输路径更短、时延更低、性能更好。
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参考华为官方信息,全新麒麟 9050 Pro 是首款逻辑折叠 τ 芯片。
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原文链接:https://m.ithome.com/html/999716.htm
由于较为封闭的软硬件生态,华为这款麒麟9050 Pro,我们没有办法得到更多的信息。但从官方透露的数据来看,搭载麒麟9050 Pro的Mate XT 2整机性能相比于上一代提升了40%多,这在手机芯片迭代的层面上来看,属于非常巨大的提升,不愧是首款逻辑折叠τ芯片。
此前也曾有国内爆料媒体爆料过一款疑似9050系列的芯片,不知道能不能印证上了。
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新 闻2️⃣ : 安卓最强 2nm 芯片:高通第六代骁龙 8 超级至尊版实物图曝光
9 月 8 日消息,消息源 @LaidBackDev_ 于 9 月 6 日在 X 平台发布推文,分享了一张安卓最强 2nm 芯片高通第六代骁龙 8 超级至尊版(Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6,型号 SM8975)的芯片实物图。
根据曝光的图片细节,第六代骁龙 8 超级至尊版封装面积要大于第五代骁龙 8 至尊版芯片,并非单纯扩大计算单元,增加的封装面积主要来自新的散热结构。
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报道指出,传统 PoP(封装堆叠)方案通常将 DRAM 直接放在 SoC 上方。这种做法有助于缩小主板占用空间,但内存与处理器热量会集中在同一位置。
而第六代骁龙 8 超级至尊版将 DRAM 从 SoC 顶部移到侧边,并加入散热片,类似于三星在 Exynos 2600 芯片采用的 Heat Path Block(热传导模块)思路。
HPB 全称为 Heat Path Block,是三星在 Exynos 2600 芯片中引入的散热技术,通过铜基散热块直接接触应用处理器(AP),利用铜的高导热性迅速传导芯片热量至散热结构,从而降低芯片温度、提升性能稳定性。
科技媒体 Wccftech 认为通过侧置 DRAM 单元,并配合散热片,这种方式可以降低内存与 SoC 之间的热量累积,让 CPU 和 GPU 在更长时间内保持较高频率。IT之家附上相关图片如下:
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细节方面,芯片照片可见“SM8975”和“101-BC”标识。Wccftech 据此判断,该版本预计支持 LPDDR5X 内存,而不会采用速度更高、能效更优的 LPDDR6。
原文链接:https://m.ithome.com/html/999649.htm
也不知道和我们两款国产旗舰手机SoC发布有没有关系?反正远在海外的高通好像是有点沉不住气了。最近又有推文展示了所谓安卓最强2纳米芯片,高通骁龙8 Elite Extreme Gen 6的实物图……我的天呐……这个名字怎么这么长啊?
可以看得出来,本次8 Elite Extreme 6的封装面积要比上一代的8 Elite 5要更大,可以看到封装面积变大,主要的原因,一方面是由于散热结构的改变,另一方面则是将原本应该与SoC叠放的DRAM芯片改成了侧置,也就是与SoC芯片平行放置,估计也是为了散热。在散热上做了这么大的改动,做了这么大的手笔,会不会本代的散热有很大的压力呢?那能不能坐上这个安卓最强,可能还得看厂商调教散热的脸色吧。
新 闻3️⃣: 天玑 9600/Pro 双芯登场?2026 联发科天玑旗舰新品发布会定档 9 月 15 日
9 月 8 日消息,联发科官方今日宣布将于 9 月 15 日 14:30 举行新品发布会,“新一代 MediaTek 天玑旗舰芯即将揭晓,一起开启全新「Pro」体验”。
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结合此前的爆料信息,联发科预计将会在本次发布会上正式推出天玑 9600 系列芯片,包含天玑 9600 标准版与天玑 9600 Pro 两款产品。
根据目前爆料,天玑 9600 系列将采用双芯片布局,其中标准版基于台积电 3nm 工艺制造,属于天玑 9500 系列的增强版本;Pro 版则采用台积电第二代 2nm N2P 工艺,是联发科旗下首款 2nm 手机芯片。相比 N3E 工艺,2nm 制程在相同功耗下性能提升最高可达 18%,相同速度下功耗降低约 36%。
天玑 9600 Pro 的 CPU 采用 2+3+3 全大核三丛集架构,包含 2 颗主频接近 5GHz 的 ARM C2-Ultra 超大核、3 颗 C2-Premium 大核及 3 颗 C2-Pro 中核,彻底抛弃了传统的大小核设计。这一主频相比上代天玑 9500 最高 4.21GHz 实现了大幅跃升。GPU 方面集成了 ARM Mali-G2-Ultra-NX MC12,与小米玄戒 O3 采用同代架构;另有爆料称其搭载 Arm Magni GPU 架构,支持硬件级光线追踪与游戏插帧技术。此外,该芯片还支持 LPDDR6 内存与 UFS 5.0 闪存,NPU 算力据称达到 200TOPS。
性能方面,根据 Geekbench 6 的跑分数据,天玑 9600 Pro 单核最高约 4137 分,多核最高约 13086 分。
首发机型方面,爆料称 vivo X500 系列和 OPPO Find X10 系列将首批搭载天玑 9600 系列芯片。其中,vivo X500 系列已确认将于 9 月下旬发布,高配版搭载天玑 9600 Pro,标准版则搭载天玑 9600。
原文链接:https://m.ithome.com/html/999586.htm
你也玩双旗舰?不是,你这跟小杯中杯大杯改名成中杯大杯超大杯有什么区别?这不就是我们之前已经抨击过的骁龙的玩法吗?而且本次的9600甚至连工艺制成都没有变,据传将会是9500的增强版本。那你挂一个9600的名字又是什么意思呢?混淆消费者,让他认为是本代旗舰吗?且不论你的性能表现到底怎么样,但是这一代你跟高通真的是够丧良心的。
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