星钥半导体8英寸MicroLED IDM产线打通出货，亮出全链路硅基制造方案

来源：市场资讯

（来源：第三代半导体产业）

9月9日，第28届中国国际光电博览会（CIOE）在深圳国际会展中心正式启幕。星钥半导体首次亮相光博会展台，集中展出覆盖大尺寸硅基 GaN 外延、高精度混合键合、垂直堆叠单片全彩的全链条工艺晶圆实物，以及多波长定制微显示屏、红绿双色堆叠样品、R/G/B+CMOS 垂直堆叠晶圆、MicroLED 光互连器件等一系列重磅研发成果。公司对外披露，依托全自主 8 英寸 MicroLED IDM 产线，外延、芯片、键合全流程实现自主可控，标志国内 MicroLED 产业化迈入全链路自主制造新阶段。

当前 MicroLED 行业普遍面临制造成本高、规模化交付能力不足等痛点，根源在于传统工艺路线难以稳定量产。星钥半导体认为，复用成熟半导体工艺体系，是突破产业瓶颈的核心路径。目前公司基于半导体工艺打造的量产产线已全线打通并实现出货，建成国内首条真正意义上的 8 英寸 MicroLED IDM 产线，全程无外部代工环节，掌握从外延生长到异质集成的核心制造能力。

星钥半导体是专注硅基 MicroLED 研发、生产与销售的高科技企业，2024 年 10 月落户武汉东湖高新区。公司现已建成 8 英寸 MicroLED 研发量产线，并规划建设国际领先的 8/12 英寸全制程 MicroLED 芯片制造工厂。核心创始团队拥有全球头部 8 英寸 GaN 芯片量产项目经验，聚焦高性能 MicroLED 微显示芯片研发量产，产品面向 AR、AI 数据中心光互联、可穿戴设备、微型投影等场景，提供成套技术解决方案。

本次展会，星钥半导体以四大技术平台为底座，现场展出多段关键工艺晶圆实物，完整展示工程化落地能力，四大平台分别为：大尺寸硅基 GaN 平台，与 CMOS 共用硅衬底，键合兼容性强、良率优势突出，适配标准半导体产线，具备规模化降本潜力；高效率红光平台，布局 Si 衬底三元红光与 GaAs 衬底四元红光两条路线，兼顾像素微缩性能与广色域需求；高精度混合键合平台，攻克热膨胀系数失配、高密度互连、热预算受限等异质集成难题，支持室温预键合，实现超高密度互连与极低寄生参数；异质堆叠集成平台，借鉴图像传感器成熟垂直堆叠思路，打通 R/G/B+CMOS 单片全彩技术路径。

产品端，多款特色样品集中亮相。多波长可定制单色 MicroLED 微显示屏带来 490nm Tiffany 蓝、580nm 爱马仕橙等特色波长器件，区别于行业常规绿光方案，依托自研硅基 GaN 外延平台，通过调控量子阱组分实现宽光谱调谐，摆脱对外购外延片依赖，可匹配下游整机差异化光学设计需求，现场演示收获产业链客户高度关注。

红绿双色堆叠样品采用混合键合垂直堆叠架构，集成双发光层，可独立输出两种色彩，实现动态波长调节，作为全彩技术量产前的过渡方案，能够丰富 AR 终端色彩表现，同时持续验证堆叠与键合整套工艺，为单片全彩研发积累制造经验。面向中长期全彩目标，展台展出 R/G/B+CMOS 垂直堆叠工艺晶圆，公司规划基于该路线的单片全彩量产级样品将于 2027 年 3 月交付。星钥同时布局两种红光方案与 X-Cube 合光、单片堆叠两套全彩技术路线，灵活适配不同终端客户需求。

除 AR 微显示赛道外，星钥半导体同步展出 MicroLED 光互连外延片与 Chip on Wafer 芯片样品。微显示与光互连技术同源，共享硅基 GaN 外延、晶圆加工、混合键合制造底座。这款 MicroLED 光互连器件采用 “Wide and Slow” 并行架构，瞄准 AI 数据中心短距高速互联、共封装光学 CPO 等前沿场景，依托 8 英寸 IDM 平台持续开展工艺验证，推动 MicroLED 技术跨赛道落地。

星钥半导体市场负责人表示，LEDoS 产业化并非简单做出实验室样机，真正难点在外延、键合、堆叠等底层制造环节。本次参展集中展示全流程工艺晶圆与阶段性产品，直观呈现 IDM 模式完整技术能力。公司将持续迭代多波长单色、双色堆叠产品，稳步推进单片全彩与光互连技术研发，期待联合整机、光学、光通信产业链伙伴，共同加速国产 MicroLED 商业化落地。

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