北京
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国家知识产权局信息显示，重庆中科渝芯电子有限公司申请一项名为“一种抑制半导体通孔刻蚀边缘放电异常的方法”的专利，公开号CN122739200A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明公开一种抑制半导体通孔刻蚀边缘放电异常的方法，在半导体衬底上涂覆光刻胶层；将洗边工艺的洗边宽度被配置为不小于预设阈值，执行洗边工艺，去除所述衬底边缘区域的至少部分光刻胶，或者取消所述洗边工艺。以经过洗边处理的光刻胶层为掩模，进行等离子体刻蚀，形成通孔。本发明从源头解决了通孔层刻蚀过程中的放电异常，切断了缺陷向后续工艺层扩展的链条。
天眼查资料显示，重庆中科渝芯电子有限公司，成立于2010年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本134615万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆中科渝芯电子有限公司参与招投标项目77次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息126条，此外企业还拥有行政许可4个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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