谁能想到,十年前还被海外巨头完全垄断的中国存储芯片市场,现在能让全球顶流玩家跟着咱们的技术走。2026年无锡半导体展上,长江存储研发副总经理冯耀斌甩出了一个猛料,咱们原创的Xtacking晶栈架构,已经被美日韩四大头部存储企业悄悄效仿。
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十年前,中国存储芯片自给率是实打实的零,不管是闪存还是内存,全部依赖进口,整个市场被海外玩家瓜分殆尽,连一点空间都没给咱们留下。整个行业憋着一股劲,就想把核心技术攥在自己手里。
2016年,国内三大存储企业正式成立,下场啃这块硬骨头。合肥长鑫和福建晋华主攻DRAM也就是常用内存,武汉长江存储主攻手机等设备用的NAND闪存。三家路径不同,但目标一致,就是要打破海外垄断。
福建晋华一开始想走快速量产路线,和台联电合作引入32nm工艺,想着快点做出成品打开市场。没想到2017年被美光起合肥长鑫走的是稳扎稳打的路线,先合法购买专利站稳脚跟,再面向全球招揽行业人才,一步一步慢慢推进。在AI时代爆发带来的全球内存短缺浪潮中,长鑫成功找到了属于自己的突破口,打出了名声。
诉,2018年美国直接出手制裁,切断了设长江存储2016年刚创立的时候,和国际顶尖水平差了整整三年,差距不算小。2018年就实现了32层闪存堆叠,还发布了原创的Xtacking架构,直接给行业带来了新思路。
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备供应渠道,项目进度直接受到不小影响这个架构的设计思路特别巧妙,把外围电路和存储单元分别放在两片晶圆上加工,最后再用混合键合技术合二为一。这么设计能减少芯片占用的面积,还能有效提升存储密度,优势特别明显。
2020年,长江存储基于Xtacking架构实现了64层堆叠,相关产品直接搭载到华为Mate40 Pro等热门机型上。长江存储提供存储颗粒,海思做封装优化,也就是大家熟悉的SFS1.0,使用体验完全不输海外产品。
2021年长江存储就实现了128层堆叠,节奏紧紧咬着国际巨头,差距越来越小。2022年更是直接率先实现232层堆叠,技术上反超美日韩,跑到了行业第一梯队的前面。
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也就是在这个快速上升的关键期,长江存储遭到了美国的制裁,先进设备的供应渠道被直接切断,不少人都捏了一把汗。面对外部封锁,长江存储没有选择躺平,而是拉着国内供应链一起搞国产化突围。
经过一两年的磨合,长江存储已经建成了完整的去美化研发生产体系,硬生生打破了封锁。这次冯耀斌公开透露,三星、SK海力士、铠侠、美光四家全球顶级存储巨头,都已经在自家最前沿的产品上,采用了和Xtacking相同的技术架构。
2025年三星就主动找上门,和长江存储达成了专利合作,要用上Xtacking的混合键合技术制造下一代10nm闪存。这件事本身就很说明问题,长江存储现在在闪存领域的领先地位,已经得到了行业巨头的默认,不然人家也不会主动低头合作。
美国早就开始在半导体领域围堵中国,逻辑、内存、闪存三大板块全给设置了封锁线。14nm及以下逻辑芯片、18nm及以下内存、128层及以上闪存的相关设备,全部禁止卖给中国企业。
最新的相关法案还把封锁范围扩大到了成熟制程,步步紧逼的操作,说白了就是不想让中国半导体起来。持续断供也给整个行业敲响了警钟,核心技术买不来换不来,解决卡脖子问题真的拖不得。
长江存储现在一直在推进国产化制造体系的建设,几乎找来了所有叫得出名字的中国本土设备企业深度合作。和中微半导体一起开发刻蚀机,和北方华创一起开发刻蚀、薄膜、清洗设备,全链条推进国产化。
和华海清科一起开发抛光设备,和上海微电子一起开发光刻设备,全产业链联动啃硬骨头。长江存储靠着自己的技术实力和国内庞大的市场空间,牵引着国产设备一步步迭代成熟,目标就是建成完全自主可控的制造流程。
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这种模式不只是长江存储一家的发展方向,更是整个中国半导体面向未来的发展趋势。咱们从零出发,一步步走到技术反超,靠的就是不服输的韧劲,未来肯定能给大家带来更多惊喜。
参考资料:人民网 《中国存储芯片产业自主突破纪实》
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