光联芯科CEO陈超：光电融合将重塑光互连产业的技术范式

9月9日至11日，第二十七届中国国际光电博览会（CIOE中国光博会）在深圳举行。南都湾财社记者注意到，随着AI算力集群规模的指数级扩张，传统的半导体互连方式正面临功耗与物理尺寸极限，面向下一代AI智算中心的光互连技术正跨越商业化落地的鸿沟。

展会期间，光互连赛道独角兽企业光联芯科全球首发了“至微”系列ZW1000硅光无掩膜可编程光刻机。值得注意的是，这是中国企业首次在全球范围内做到将硅光微环芯片的良率从10%提至99%。

光联芯科联合创始人兼CEO陈超在现场接受了南都湾财社记者专访。谈及光互连行业何时迎来爆发临界点，陈超向记者表示，光互连在带宽密度与功耗上的理论优势十多年前就已被业界公认，但整个行业过去普遍卡在同一个物理困境上——制造公差导致晶圆良率极低。

“如果我们直接去追赶国外的电芯片先进制程，短期内仍有差距，但用光互连加上国内的算力芯片组成集群，就能实现换道领跑。”陈超表示，随着微环量产良率的突破性跃升，光互连走向千万级工业量产的成本与技术障碍正在被逐步扫除。

光联芯科四位创始人，从左至右：张巍巍、陈超、叶亚飞、胡志朋。

中国企业创下全球首次： 国产设备将硅光微环芯片良率从10%提至99%

AI大模型时代的算力风暴，对数据中心内部的数据搬运提出了极高要求。在顶尖的AI集群里，成千上万颗GPU一起训练时，海量数据传输造成的能耗占比越来越高。以微环调制器（MRM）为代表的硅光芯片凭借高集成密度、大带宽与超低功耗，成为突破智算互连“算力墙”与“功耗墙”的核心方向，也是下一代CPO（共封装光学）与OIO的理想解法。

然而，微环技术面临的最大挑战在于其对纳米级制造工艺公差极度敏感。在传统的晶圆代工模式下，微小的工艺波动会导致微环芯片的谐振峰偏离标准波长通道网格，这使得光芯片在流片后出货受制于“被动筛选”，良率往往不到10%。

其实，在硅光与CPO（共封装光学）技术早期，海外厂商高度依赖向晶圆代工厂提出逼近物理极限的纳米级制造公差要求，这直接拉低了量产良率。一颗合格光互连模组所分摊的制造成本，往往达到单颗高端GPU裸芯片成本的相当比重——这在商业上是难以接受。也正因如此，海外厂商所走的这条路线，难以在中国市场被复制，也难以规模化推广。

作为全球首台专属微环波长编辑装备，光联芯科此次发布的ZW1000光刻机实现了由中国企业主导的全球首次技术破局。该设备首创将无掩膜高速精准投影与高精度激光退火系统深度融合，利用局部激光退火微调硅材料光学折射率，能够实现微环波长皮米级（pm）的超高精度修调与离散度补偿。

“现在，这台修调设备能让光芯片的良率从不到10%直接提升到99%。”陈超透露，ZW1000已经具备端到端自动化修调能力，仅需5小时即可完成整张12英寸微环晶圆的“检测-修调-出货”。

值得注意的是，这一突破可以将单颗产品成本骤降。对整个行业而言，这意味着微环从实验室样品走向千万级工业量产的关键障碍正在被扫除。

2030年光互联市场有望达千亿美元

随着Ayar Labs、英伟达等国际巨头全面向微环技术收敛，光互连的产业共识已经确立。陈超预计，到2030年左右，全球光互连市场规模将突破千亿美元，国内市场也有望达到千亿人民币量级。

这一指数级增长趋势也印证了国际投行的最新判断。高盛在最新报告中大幅上调了全球光模块市场的规模预测，预计2026年将达到677亿美元，较此前预期上调33%；2027年与2028年更将分别飙升至1314亿美元和1485亿美元，修正幅度分别高达81%和115%。

“如果光模块这种分立器件是高端制造业，那么我们做的事情就是把光第一次拉进半导体产线里，做集成硅光子学。”陈超对记者表示，光互连并非单纯买几台设备或单做一颗芯片即可解决。在国内处于追赶形态的环境下，单纯依靠第三方代工厂难以实现高良率、低成本的快速量产，必须从上层设计、工艺制造一路打穿到先进封装。

这种软硬协同、光电融合的思路，赋予了团队以两三个月为周期高频迭代的极快工程速度。

陈超坦言，国内外在光互连这一前沿赛道上基本处于同一起跑线，技术差距不到两年。国内庞大的工程师红利与更快的工程交付速度，是企业在国际竞争中突围的最大底气。

“在传统电芯片领域，我们距离国际最先进制程仍有距离。但未来的竞争是整个算力集群的比拼。如果我们用中国自研的光互连系统，加上国内的算力芯片组成集群，就能追平甚至超越国外的整体算力效能。”陈超表示，这是中国半导体产业在下一代计算架构中抢占标准与技术话语权的关键节点。

采写：南都湾财社记者 严兆鑫