上海
9月9日，财闻海外资讯援引日经中文网报道，台积电（TSM.US）9月8日发布消息称，将从2030年起，在量产环节采用荷兰阿斯麦（ASML.US）生产的新款极紫外（EUV）“高NA”光刻机。两家企业当天还透露称，将联手跨行业推进高NA光刻机的改良。
光刻机用于在硅基板上刻印半导体电路。阿斯麦独家供应能够制造纳米级超精细电路的EUV光刻机。
阿斯麦已从2023年12月开始供货可绘制更精细电路的高NA光刻机。美国英特尔（INTC.US）已经引入高NA光刻机，但台积电此前因为成本高昂等原因，一直暂缓将其用于量产。
台积电与阿斯麦将启动跨行业项目，把作为电路原版的“光掩膜”从目前的6英寸（约15厘米）见方扩大到12英寸见方。还将开发适配大尺寸掩模的高NA光刻机以及相关零部件。
计划到2031年搭建大尺寸掩模试产线，2033年前完成适配大掩模的高NA设备，使其可以投入尖端半导体生产。据悉多家主流半导体厂商、掩膜企业均表达了参与意向。
高NA光刻机虽然可以绘制出更精细的电路，但单次可绘制的面积只有旧型号的一半。在大尺寸芯片上绘制电路时，需要分多次曝光，工序繁琐，带来成本上升的痛点。本次扩大光掩模尺寸，目的就是提升单次曝光面积，以此压低生产成本。
台积电董事长兼首席执行官（CEO）魏哲家当天表示，希望集合全产业链的技术积累，通过持续创新，降低技术门槛，让先进方案能够大规模落地，持续释放前沿技术价值。
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