湖北
2026年9月8日，三星与ASML联合宣布，双方 扩大双方长期战略合作伙伴关系，进一步深化在高数值孔径（High-NA）极紫外光刻（EUV）及先进半导体制造技术上的协作，以支撑人工智能时代下一轮芯片创新。
在多年成功合作的基础上，双方将加速相关技术的开发与部署，以应对先进半导体制造对更高性能与更高效率的持续需求。 此次合作不仅覆盖下一代光刻装备的导入，也延伸至掩模规格与配套基础设施等产业共性环节。
三星将加入行业倡议，共同推进面向未来制造的下一代12英寸光掩模平台。数十年来，半导体行业一直依赖6英寸光掩模规格。随着High-NA EUV投入应用，若继续沿用既有6英寸掩模，单次曝光可覆盖的有效图案面积将显著受限，并增加拼接工序负担。
从而向更大的12英寸掩模过渡，有望进一步提升晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本，并消除拼接限制。这将使先进芯片制造商能够更充分释放High-NA EUV的分辨率优势，提高未来领先制程芯片的成本竞争力。
凭借在存储器与晶圆代工制造领域的双重布局，以及在先进EUV光刻方面积累的量产经验，三星将在12英寸光掩模转型中发挥关键作用。该公司将与行业伙伴密切合作，开发所需的掩模技术及配套基础设施。
三星还计划于2028年前在业内率先将ASML的High-NA EUV技术引入未来DRAM大规模量产，进一步证明该技术已具备支撑先进存储与逻辑应用的条件。High-NA EUV有望拓展DRAM微缩路线图，通过更高分辨率实现工艺简化与效率提升，减少多重图形化带来的工序复杂度。
总的来看，此次战略升级标志着三星在下一代半导体制造竞争中迈出关键一步，从光刻设备到掩模标准全面布局。通过率先导入High-NA EUV并牵头12英寸掩模生态构建，三星不仅强化了自身在存储与代工领域的护城河，也为整个行业向AI时代的高效制造范式转型提供了明确路径。双方长期协同创新，正加速将前沿技术转化为量产竞争力。
小编将在第一时间分享更多相关最新动态和爆料，敬请关注。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
