上海
9月9日早盘，半导体板块盘初活跃，设计环节领涨产业链，科创芯片设计ETF招商（589390）标的指数早盘一度涨逾2%，ETF成交持续活跃。资金面上看，该ETF近5日累计获2373万元资金净申购。
消息面上，隔夜美股费城半导体指数逆势大涨1.30%，存储短缺逻辑延续，资金再度聚焦高纯度芯片设计赛道。
【巨头库存不足10天，涨价周期有望拉长】
芯片设计赛道的走强，根植于仍在深化的“存储超级周期”。韩国券商KB证券最新报告指出，三星电子、SK海力士的存储半导体库存已降至不足10天，明年全球DRAM、NAND比特需求将超过供给逾10个百分点，可能出现“历史性短缺”。
KB证券预计2027年全球超大规模云厂商AI基础设施投资约1.3万亿美元、同比增长约60%；存储在其中的占比将从2025年的14%升至2026年40%、2027年57%；TrendForce测算更为激进，认为2027年将达68%。
价格端看，服务器DRAM合约价2025年下半年累计上涨64%，2026年继续上行；企业级SSD同期累计上涨约35%。TrendForce预计2027年HBM合约价仍可能上涨70%–140%。
【全球半导体销售爆发式增长，先进制程紧缺延续至2027年】
SIA数据显示，7月全球半导体销售额同比增长135.1%，其中DRAM、NAND同比增幅达427.8%和531.9%，逻辑芯片同比+45.3%。需求信号已经确立，而设计企业既是需求的直接承接者，也是国产替代政策最直接的受益方。
海外方面，摩根大通在SEMICONTaiwan走访22家公司后判断，2027年N3供需缺口将比今年进一步扩大（2026年未满足需求已接近60万片晶圆），英伟达在2027年将占用N3总量的55%–60%（1H26不足10%）；即便台积电增加约40%的N3产能，2027年仍难以出清。先进封装亦接近实际上限，台积电CoWoS到2027年底约19–20万片/月。
瑞银判断，DRAM与NAND供应短缺将持续到2027年，预计Q3DDR价格环比上涨22%、NAND合约价上涨20%，2026年全球半导体收入有望达1.63万亿美元。
【国产替代加速，政策与产业事件密集催化】
国产算力与自主可控主线同步升温。DeepSeek拟在内蒙古建设大规模数据中心，部署至少16万颗华为昇腾950DT，国产算力芯片出货提速。
此前，工信部明确“加大力度适配国产算力芯片”，寒武纪进入PyTorch基金会最高级别成员，爱芯元智5nm车规芯片落地，均为设计环节在生态与产品两端同步突破的证据。
估值层面看，芯片设计板块估值已回到相对合理的位置。截至9月8日，科创芯片设计指数最新PE值为115.96倍，处指数发布以来最低水平分位。
中国银河证券在最新周评中指出，近期半导体板块缩量走低、拥挤度进一步消化，或可关注低估值、低拥挤方向，模拟芯片与数字芯片设计排序居前。
国海证券最新观点亦表示，过去一周电子行业下跌5.36%，同期费城半导体上涨2.32%。团队认为在7月以来显著调整与筹码再平衡之后，电子当前的"估值赔率"或已具备吸引力，未来两周宏观事件"靴子落地"有望成为科技行情反攻的转折点。
对投资者而言，科创芯片设计ETF招商（589390）跟踪上证科创板芯片设计主题指数，成分高度聚焦芯片设计环节，覆盖AI算力与存储两大高景气赛道，20%涨跌幅限制、进攻性强，是分享设计端业绩弹性与产业周期共振的高纯度配置工具。
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