芯联集成电路制造取得取样装置相关专利，该装置简化取样提效降污染与作业风险

来源：新浪证券-红岸工作室

9月9日消息，国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“化学液流量校准取样装置及化学镀设备”的专利，授权公告号CN224731590U，授权公告日为2026年9月8日。申请号为CN202522115761.8，申请公布日期为2026年9月8日，申请日期为2025年9月30日，发明人傅凌超，专利代理机构上海思微知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师周耀君，分类号G01N1/14、C23C18/31。

专利摘要显示，本实用新型涉及半导体制造技术领域，提供了一种化学液流量校准取样装置及化学镀设备。化学液流量校准取样装置包括：注液管、取样管和通路切换装置；所述注液管用于输送化学液，所述注液管的出口端用于与化学槽的内腔连通；所述取样管的进口端与所述注液管连通，所述取样管的出口端位于化学槽外；所述通路切换装置用于切换注液管内化学液的流向，以使得化学液沿所述注液管的出口端流出或沿所述取样管的出口端流出。上述装置可简化药液取样过程，提高流量偏差的计算效率，同时也降低作业风险以及药液被污染的风险。

芯联集成成立于2018年3月9日，2023年5月10日登陆上海证券交易所，注册及办公地址均位于浙江省绍兴，是国内领先的MEMS特色晶圆代工服务商，具备差异化全流程代工技术壁垒。

芯联集成主营业务覆盖MEMS和功率器件等领域的晶圆代工及模组封测业务，可为客户提供一站式系统代工解决方案，申万行业分类隶属于电子-半导体-集成电路制造，同时布局第三代半导体、模拟芯片、光伏玻璃相关概念赛道。

2026年上半年，芯联集成实现营业收入45.62亿元，在所属7家同行业企业中排名第5，同期行业头部企业中芯国际、华虹宏力营收分别达386.35亿元、95.74亿元，行业平均营收为93.45亿元，行业中位数为59.57亿元；当期公司实现净利润4136.02万元，同样位列行业第5，行业内中芯国际、赛微电子净利润分别为64.39亿元、26.75亿元，行业平均净利润14.11亿元，行业中位数为2.22亿元。

指标类型 当期数值 行业排名/总家数 行业头部企业数值 行业平均数 行业中位数 营业收入 45.62亿元 5/7 中芯国际386.35亿元、华虹宏力95.74亿元 93.45亿元 59.57亿元 净利润 4136.02万元 5/7 中芯国际64.39亿元、赛微电子26.75亿元 14.11亿元 2.22亿元

芯联集成电路制造股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1半导体器件的制备方法发明专利公布CN202610927683.82026-06-25CN122704843A2026-09-08任杨波2芯片缺陷定位方法发明专利公布CN202610869507.32026-06-16CN122631647A2026-08-25崔壮3垂直腔面发射激光器的制备方法发明专利公布CN202610861716.32026-06-15CN122716685A2026-09-08靳闪闪、何琼4缺陷定位方法、系统及计算机可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610846155.X2026-06-12CN122612651A2026-08-21李晓童、罗昌平、李剑5MEMS器件的背腔偏移测试结构及测试方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610844554.22026-06-11CN122561818A2026-08-14傅思宇6键合结构对准标记形成方法及键合结构发明专利公布CN202610844002.12026-06-11CN122685007A2026-09-04王红海、吕林静7一种MEMS器件及电子装置发明专利公布CN202610843036.92026-06-11CN122718612A2026-09-08唐丽文8光刻掩膜和图形化方法发明专利公布CN202610649381.92026-05-12CN122488424A2026-07-31李悦、眭小超9一种半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610613072.62026-05-07CN122161437A2026-06-05于贝贝、张俊龙、王琛10半导体集成器件的制备方法及半导体集成器件发明专利授权CN202610603325.12026-05-06CN122138453B2026-07-21黄艳、赵晓燕11红外传感器及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610588080.X2026-04-29CN122505417A2026-08-04周健12晶圆版图结构及晶圆结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610504645.12026-04-16CN122341221A2026-07-03李悦、眭小超13半导体器件背面金属化的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610488963.32026-04-14CN122396221A2026-07-14黄旭波、眭小超14一种半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610488964.82026-04-14CN122396034A2026-07-14金善武、李婧、程显、张文博、姚泽辉15振膜及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610430343.42026-04-02CN122349078A2026-07-07李佳利、徐泽洋、王鹏、鲁列微16半导体器件的制备方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610420503.72026-04-01CN122340816A2026-07-03王强、孙金山、顾学强、宋苗苗17半导体器件的制备方法、半导体器件及芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202610404592.62026-03-30CN122318834A2026-06-30徐鹏、张偲、王天然、张俊龙18半导体器件的制备方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610400260.02026-03-30CN122340887A2026-07-03田淑芳、赵晓燕、黄艳19深沟槽电容器的制备方法及深沟槽电容器发明专利实质审查的生效、公布CN202610370329.X2026-03-25CN122180083A2026-06-09林笛、赵晓燕、张子文20电容麦克风、半导体结构及其测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610365274.32026-03-24CN122054060A2026-05-15傅思宇、姚阳文21封装打线应力监测结构、芯片封装结构及封装打线应力的监测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610350219.72026-03-20CN122318819A2026-06-30张坦、李婧、吴桥伟22半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610340887.12026-03-19CN122227653A2026-06-16赵冰、赵晓燕、黄艳23LDMOS器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610340345.42026-03-19CN122227629A2026-06-16李宏伟24套刻精度监控结构、监控方法、半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610325340.42026-03-17CN121978872A2026-05-05李忠仁、赵晓燕、何福秀25霍尔器件及其制造方法发明专利授权CN202610321598.72026-03-17CN121888864B2026-07-10黄艳、赵晓燕26半导体器件及其制作方法、芯片、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610319423.22026-03-16CN122318295A2026-06-30黄艳、赵晓燕27MEMS结构及其制备方法和测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610263262.X2026-03-05CN122102048A2026-05-29王红海28半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610264470.12026-03-05CN122301116A2026-06-30王曦29一种霍尔元件发明专利实质审查的生效、公布CN202610252635.32026-03-03CN122121538A2026-05-29李宏伟30DUP器件的焊盘结构及其打线方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610252633.42026-03-03CN122121712A2026-05-29李宏伟31MEMS微镜及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610242335.72026-02-28CN122218940A2026-06-16毕丽丽、罗传鹏32半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610235585.82026-02-27CN122121255A2026-05-29黄艳、赵晓燕、石磊33垂直腔面发射激光器的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610206631.12026-02-12CN122068361A2026-05-19靳闪闪、何琼34一种半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610201260.82026-02-11CN122054671A2026-05-15黄艳、赵晓燕35滤波器及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610191106.72026-02-10CN122119555A2026-05-29穆苑龙、王鹏、姚阳文、徐泽洋36MEMS器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610173899.X2026-02-06CN121974292A2026-05-05胡永宝、姚阳文、徐泽洋37MEMS器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610161355.12026-02-04CN122054059A2026-05-15王鹏38高压电容隔离器及其制造方法发明专利授权CN202610156455.52026-02-04CN121645907B2026-05-26徐涛、王旭、刘晓雪39半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610144599.92026-02-02CN122054611A2026-05-15张子文、赵晓燕、林笛40深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610075516.52026-01-20CN121888936A2026-04-17张涛、王旭41用于半导体器件测试的测试焊盘结构及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610075821.42026-01-20CN122028704A2026-05-12李忠仁、赵晓燕、何启庆42负性光刻胶去边方法发明专利公布CN202512047655.52025-12-31CN121657384A2026-03-13张孟龙、徐万里、吴健、张弓玉帛、钭诗恩43封装件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512031182.X2025-12-30CN121772812A2026-03-31徐达武、龚俊能44一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511994715.82025-12-26CN121728807A2026-03-24叶强飞、黎哲、何云、罗顶45电熔丝的制备方法、电熔丝及半导体集成结构发明专利实质审查的生效、公布CN202511994584.32025-12-26CN121772735A2026-03-31黄艳、赵晓燕、钟鹏46一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511980858.32025-12-25CN121712052A2026-03-20叶强飞、黎哲、何云、罗顶47输出芯片及光控继电器发明专利实质审查的生效、公布CN202511953919.72025-12-23CN121814072A2026-04-07李宝杰、任文珍、丛茂杰48一种电容式麦克风、半导体器件及其制造方法发明专利授权CN202511882683.22025-12-15CN121310023B2026-04-14傅思宇、陆晓龙、徐泽洋、姚阳文49一种半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202511868002.72025-12-11CN121645906A2026-03-10秦永山、王旭50晶圆异常原因分析方法、电子设备和可读存储介质发明专利公布CN202511867408.32025-12-11CN121682332A2026-03-17王颖、康栋、李鹏、孙海丽