东微半导体申请氮化镓器件相关专利，该氮化镓器件可增强耐压能力

来源：新浪证券-红岸工作室

9月9日消息，国家知识产权局信息显示，苏州东微半导体股份有限公司申请一项名为“一种氮化镓器件及其制造方法”的专利。申请公布号为CN122719117A，申请号为CN202510255703.7，申请公布日期为2026年9月8日，申请日期为2025年3月5日，发明人李瑶、王鹏飞，专利代理机构北京品源专利代理有限公司，专利代理师杨义，分类号H10D30/47、H10D30/01、H10D62/17。

专利摘要显示，本发明提供一种氮化镓器件，包括基底层；位于所述基底层之上的沟道层；所述沟道层的中部凸起，所述沟道层的中部与两侧分别呈台阶状；位于所述沟道层之上的势垒层；位于所述势垒层台面之上的第一GaN层；分别位于所述第一GaN层两端的P型半导体层；位于所述P型半导体层表面的空穴抽取电极；分别覆盖所述沟道层的中间凸起的两个侧面的栅极结构，所述栅极结构通过所述势垒层与所述沟道层隔离。本发明的氮化镓器件的沟道层呈中部凸起的台阶状，台阶处可形成非极性面或半极性面，可作为天然的增强型器件的栅极区域；在两个栅极金属之间设置超级结结构，减少了器件表面的电场尖峰，增强了氮化镓器件的耐压能力。

东微半导是国内领先的高性能功率器件厂商，依托技术壁垒深耕工业与汽车中大功率半导体赛道。公司成立于2008年9月12日，于2022年2月10日在上海证券交易所上市，注册及办公地点均为江苏省苏州市。

东微半导是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域，所属申万行业为电子-半导体-分立器件，同时布局碳化硅、IGBT、第三代半导体相关概念赛道。

2026年上半年，东微半导实现营业收入7.36亿元，在18家同行业可比公司中排名第11，低于行业平均数14.07亿元与行业中位数8.32亿元，同期行业营收前两位分别为士兰微72.62亿元、扬杰科技45.15亿元；当期公司实现净利润1.05亿元，行业排名第7，高于行业平均数9942.33万元与行业中位数5390.72万元，同期行业净利润前两位分别为扬杰科技7.57亿元、源杰科技6.07亿元。从主营业务构成来看，功率半导体产品贡献营收6.46亿元，占比87.79%；数模混合控制芯片贡献营收4326.06万元，占比5.87%；晶圆贡献营收4163.51万元，占比5.65%；其他业务贡献营收505.49万元，占比0.69%。

业务板块 营收规模 营收占比 功率半导体产品 6.46亿元 87.79% 数模混合控制芯片 4326.06万元 5.87% 晶圆 4163.51万元 5.65% 其他 505.49万元 0.69%

苏州东微半导体股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种功率半导体模块发明专利实质审查的生效、公布CN202610204670.82026-02-12CN122121710A2026-05-29张航宇、袁伟、汤乐2一种IGBT器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510964353.12025-07-14CN120857530A2025-10-28刘伟、林敏之3IGBT器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510964367.32025-07-14CN120857531A2025-10-28刘伟、林敏之4半导体器件的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510451624.32025-04-11CN120282464A2025-07-08刘伟、王鹏飞、陈鑫5一种氮化镓器件及其制造方法发明专利公布CN202510255703.72025-03-05CN122719117A2026-09-08李瑶、王鹏飞6氮化镓器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510008504.62025-01-03CN122340848A2026-07-03王鹏飞、刘伟、刘磊7氮化镓器件发明专利实质审查的生效、公布CN202411808056.X2024-12-10CN122205905A2026-06-12王鹏飞、刘伟、刘磊8氮化镓器件的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411806778.12024-12-10CN122205894A2026-06-12刘伟、王鹏飞、刘磊9一种氮化镓器件发明专利实质审查的生效、公布CN202411606016.72024-11-12CN122028458A2026-05-12王鹏飞、刘磊、刘伟10一种氮化镓器件发明专利实质审查的生效、公布CN202411606015.22024-11-12CN122028457A2026-05-12王鹏飞、刘磊、刘伟11一种氮化镓器件的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411606391.12024-11-12CN122028447A2026-05-12王鹏飞、刘磊、刘伟12一种氮化镓器件发明专利实质审查的生效、公布CN202411606018.62024-11-12CN122028459A2026-05-12王鹏飞、刘磊、刘伟13一种IGBT器件的制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411371344.32024-09-29CN119230399B2025-03-11刘伟、王鹏飞、陈鑫、刘磊14IGBT器件的制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411371340.52024-09-29CN119230398B2025-05-23刘伟、王鹏飞、陈鑫、刘磊15IGBT器件的制造方法发明专利授权、公布CN202411371352.82024-09-29CN119230400B2025-10-17刘伟、王鹏飞、陈鑫、刘磊16半导体超结功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202411330233.82024-09-24CN121240495A2025-12-30王鹏飞、缪进征、王睿、袁愿林17一种IGBT器件发明专利实质审查的生效、公布CN202410911946.72024-07-09CN118866946A2024-10-29王鹏飞、林敏之18碳化硅器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410120811.92024-01-29CN120435042A2025-08-05王鹏飞、范让萱19一种IGBT器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311106025.52023-08-30CN119562568A2025-03-04刘磊、王鹏飞20一种IGBT器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311105888.02023-08-30CN119562567A2025-03-04刘磊、王鹏飞21碳化硅器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310715907.52023-06-16CN119153497A2024-12-17王鹏飞、范让萱、刘磊、缪进征22碳化硅器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310715908.X2023-06-16CN119153498A2024-12-17王鹏飞、范让萱、刘磊、缪进征23碳化硅器件及其制造方法发明专利公布CN202310367493.12023-04-07CN118782646A2024-10-15刘磊、王鹏飞24半导体超结功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202211651724.32022-12-21CN118231464A2024-06-21王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿25半导体超结功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202211649969.22022-12-21CN118231446A2024-06-21王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿26半导体功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202211652272.02022-12-21CN118231465A2024-06-21王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿27半导体功率器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202211271548.02022-10-18CN117954490A2024-04-30王鹏飞、毛振东、范让萱28半导体超结功率器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202211271803.12022-10-18CN117954491A2024-04-30王鹏飞、袁愿林、王睿、刘磊、缪进征29氮化镓器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210960844.52022-08-11CN117637832A2024-03-01王鹏飞、林敏之、刘磊30半导体功率器件的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210544438.02022-05-18CN117133643A2023-11-28缪进征、王鹏飞、范让萱31氮化镓HEMT器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210551950.82022-05-18CN117133794A2023-11-28王鹏飞、林敏之、刘磊32半导体功率器件及其制造方法发明专利发明专利申请公布后的撤回、实质审查的生效、公布CN202210539346.32022-05-17CN117116976A2023-11-24王鹏飞、毛振东、范让萱33半导体功率器件的制造方法及器件发明专利发明专利申请公布后的撤回、实质审查的生效、公布CN202210539330.22022-05-17CN117116748A2023-11-24王鹏飞、毛振东、范让萱34IGBT器件的制造方法发明专利授权、公布CN202210367143.02022-04-08CN116936357B2025-10-03刘伟、王鹏飞、刘磊、龚轶35IGBT器件及其制造方法发明专利授权CN202210366889.X2022-04-08CN116936626B2025-11-28范让萱、缪进征、王鹏飞、刘磊、龚轶36半导体二极管及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210363432.32022-04-07CN116936603A2023-10-24王鹏飞、王睿、林敏之、刘磊、龚轶37半导体功率器件实用新型授权CN202220614408.82022-03-21CN217037151U2022-07-22王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿38碳化硅器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210280761.12022-03-21CN116825828A2023-09-29范让萱、缪进征、王鹏飞39碳化硅器件的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210282247.12022-03-21CN116825621A2023-09-29范让萱、缪进征、王鹏飞40半导体超结功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202210281110.42022-03-21CN116825829A2023-09-29王鹏飞、刘磊、袁愿林、王睿41半导体功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202210279749.92022-03-21CN116827322A2023-09-29王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿42碳化硅二极管及其制造方法发明专利发明专利申请公布后的撤回、实质审查的生效、公布CN202210276766.72022-03-21CN116825803A2023-09-29范让萱、缪进征、王鹏飞43碳化硅器件终端结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210281170.62022-03-21CN116825804A2023-09-29范让萱、缪进征、王鹏飞44半导体二极管发明专利授权CN202111611956.12021-12-27CN116364748B2026-04-03刘磊、刘伟、袁愿林、王睿45IGBT器件及其制造方法发明专利授权CN202111576883.72021-12-22CN116344573B2026-04-07林敏之、刘伟、刘磊、袁愿林46IGBT器件发明专利授权、公布CN202111561080.42021-12-15CN116264244B2024-12-24刘伟、林敏之、袁愿林、王睿47IGBT器件发明专利授权、公布CN202111534459.62021-12-15CN116264242B2025-09-12林敏之、刘磊、刘伟、袁愿林48半导体功率器件实用新型授权CN202122841877.12021-11-19CN216250731U2022-04-08龚轶、刘磊、刘伟、袁愿林49半导体超结功率器件发明专利授权、公布CN202111359635.72021-11-17CN116137283B2025-09-12刘伟、刘磊、袁愿林、王睿50半导体超结功率器件发明专利授权CN202111359722.22021-11-17CN116137289B2026-02-06刘磊、刘伟、袁愿林、王睿