北京
来源：市场资讯
（来源：第三代半导体产业）
近日，全球智能动力管理企业伊顿（Eaton）与功率半导体龙头英飞凌（Infineon Technologies AG）宣布深化先进功率电子领域战略合作，英飞凌 1200 V Easy™碳化硅功率模块成功导入伊顿全新 800 VDC 中压固态变压器（MV SST）2.0 平台，推动固态变压器技术进一步走向商业化落地。
该 MV SST 2.0 平台由伊顿中国深圳研发团队完成自主研发与制造，遵循 IEC 标准体系开发，产品主要面向亚太、欧洲、中东及非洲市场，瞄准 AI 数据中心、高密度算力基础设施与下一代直流配电架构，为电网升级、新能源基础设施建设提供高效可靠的电力转换解决方案。
作为业内较早取得 IEC 认证的中压固态变压器平台，MV SST 2.0 依托碳化硅功率器件与伊顿多年配电系统技术积淀，减少电能转换层级，实现系统效率与功率密度同步提升，在系统集成、直流配电适配层面具备突出优势，是伊顿推进电网直流化转型、落实能源转型战略的核心创新成果，助力客户搭建面向未来的新一代供配电体系。
英飞凌 CoolSiC™碳化硅技术是整套平台的核心器件支撑，其稳定的栅极氧化层设计，经过海量项目长期市场验证，充分满足数据中心、电网等关键基础设施对设备安全性、长期稳定运行、高可用性的严苛要求。封装端，英飞凌 Easy™模块平台采用低杂散电感设计，充分释放 SiC 器件高速开关特性；模块化、高灵活度的封装架构，便于 SST 整机快速集成与平台迭代扩展。CoolSiC™ MOSFET 与 Easy™封装的技术组合，实现效率、功率密度、可靠性多维提升，为固态变压器规模化商用筑牢器件根基。
据了解，伊顿与英飞凌已经拥有二十余年合作基础，双方坚持长期主义，依靠联合创新与深度协同，持续推动 SST 技术走出实验室实现产业化。早在 SST 项目早期研发阶段，伊顿就选用搭载 AlN 氮化铝陶瓷基板的英飞凌 1200 V SiC M1H 模块，收获行业领先的功率密度指标，为平台持续迭代打下扎实基础。
过往合作中，双方已落地多项标杆项目，覆盖光伏三电平拓扑模块化应用、UPS 系统 SiC MOSFET 模块创新实践，同时联合开发多款定制化功率模块产品，持续拓展碳化硅在能源电力电子领域的应用边界。
当前 AI 数据中心规模持续扩张，新型电力系统建设提速，中压直流配电技术逐步成熟，高压等级功率半导体成为下一代电力电子系统革新的关键驱动力。面向长远，伊顿与英飞凌将进一步探索基于 EasyPACK™ 2C 系列 2.3 kV、3.3 kV SiC 功率模块的新一代 SST 平台，匹配更高系统电压、更高能效、更高可靠性的市场诉求。依托双方深厚技术积累，持续开展协同创新，加速固态变压器在 AI 算力基建、新型电网、新能源场景的落地普及，支撑高效、可靠、可持续的未来电力架构建设。
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