北京
国家知识产权局信息显示，苏州东微半导体股份有限公司申请一项名为“一种氮化镓器件及其制造方法”的专利，公开号CN122719117A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明提供一种氮化镓器件，包括基底层；位于所述基底层之上的沟道层；所述沟道层的中部凸起，所述沟道层的中部与两侧分别呈台阶状；位于所述沟道层之上的势垒层；位于所述势垒层台面之上的第一GaN层；分别位于所述第一GaN层两端的P型半导体层；位于所述P型半导体层表面的空穴抽取电极；分别覆盖所述沟道层的中间凸起的两个侧面的栅极结构，所述栅极结构通过所述势垒层与所述沟道层隔离。本发明的氮化镓器件的沟道层呈中部凸起的台阶状，台阶处可形成非极性面或半极性面，可作为天然的增强型器件的栅极区域；在两个栅极金属之间设置超级结结构，减少了器件表面的电场尖峰，增强了氮化镓器件的耐压能力。
天眼查资料显示，苏州东微半导体股份有限公司，成立于2008年，位于苏州市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本12257.4975万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州东微半导体股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息161条，此外企业还拥有行政许可9个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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