北京
国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“量测硅片电阻率的方法及硅片电阻率的量测装置”的专利，公开号CN122719422A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本申请实施例提供了量测硅片电阻率的方法及硅片电阻率的量测装置。该方法包括：提供体电阻率不低于1000Ω·cm的单晶硅衬底，该单晶硅衬底至少经过氧施主退火及化学清洗；对单晶硅衬底执行后退火处理，以于单晶硅衬底的表面形成二氧化硅层，从而获得硅片；以及量测所述硅片的电阻率。该后退火处理的温度范围为150℃至210℃。本申请实施例通过受控的后退火处理，加速了所述单晶硅衬底表面态的饱和钝化，能够提升处理后的高体电阻率硅片的电学稳定性，从而提升处理后的高体电阻率硅片的电阻率的测量准确度。
天眼查资料显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司，成立于2016年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本403780万人民币。通过天眼查大数据分析，西安奕斯伟材料科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目13次，专利信息1648条，此外企业还拥有行政许可24个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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