北京
来源：环球网
9月8日消息，据Wccftech和韩国科技媒体ZDNet Korea援引三星电子内外部消息人士报道，受全球AI算力驱动高带宽内存（HBM）需求持续远超供给的影响，三星电子已将旗下4纳米制程超过50%的产能，分配给HBM相关内存芯片的核心基础裸片生产，这部分产能目前已处于满负荷运转状态，全力支撑HBM4产品的产能爬坡。
与采用定制存储工艺制造的HBM DRAM堆叠模块不同，HBM底部的基础裸片采用的是逻辑芯片制造工艺，承担着与上层DRAM堆栈互联、集成内存控制器与物理层接口的核心功能，直接决定HBM整体的数据传输效率与系统集成度。ZDNet的报道显示，截至2026年8月，三星4纳米芯片产能中已有50%投入HBM4基础裸片生产，当前这一占比已经进一步提升至50%-60%区间，对应月产能规模达到1.5万片晶圆。
目前相关生产全部集中在三星平泽第二园区与第三园区的S5、S6两条晶圆产线，这两座工厂的4纳米工艺总产能为每月3万片晶圆，刚好实现一半产能定向供给HBM4基础裸片的配置。依托自身同时覆盖DRAM设计制造与先进逻辑代工的全链条能力，三星正在大规模推进从4纳米到7纳米多工艺节点的HBM相关产品生产，凭借独有的存储与逻辑制造协同优势，在HBM赛道形成差异化竞争力。
三星同时明确了2026年第三季度进一步扩大HBM4产能的目标，此前行业数据显示，2026年第二季度三星HBM全球市场份额已经攀升至38%，较一年前的15%实现翻倍增长，产能的持续倾斜将进一步巩固其在高带宽内存市场的上升势头。
产业链的长期技术布局也同步推进，继8月相关报道披露后，外媒进一步确认，三星正在评估将2纳米先进工艺应用于HBM基础裸片的技术路线，计划改造位于器兴工业区的一条现有产线，专门用于生产2纳米工艺的HBM基础裸片，这部分下一代产品将定向供应给AI芯片巨头英伟达，为其后续新一代AI加速芯片提供配套支持。
据悉，行业内采用逻辑代工工艺生产HBM基础裸片的趋势，从HBM3与HBM3E时代就已经开启，更高的数据传输速率与引脚速度要求，倒逼基础裸片必须使用更先进的逻辑工艺才能满足性能指标。当前全球头部存储厂商选择了完全不同的技术路线：三星坚持自主研发基础裸片技术并依托自有晶圆厂生产，SK海力士选择将相关生产外包给台积电，美光则采用专属定制工艺推进研发。
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