北京
芯东西（公众号：aichip001）
作者 崔嫄伟
编辑 陈骏达
芯东西9月8日，9月7日，长鑫存储宣布其自主研发的LPDDR6芯片已实现量产商用，首发搭载于小米18Fold折叠旗舰手机，这是全球范围内LPDDR6产品首次在旗舰手机端落地商用。
该款芯片单颗粒容量为16Gb，封装芯片容量达16GB，遵循JEDEC LPDDR6标准，采用1295Ball FBGA全新封装。其最高传输速率可达12800Mbps，与速率10667Mbps的LPDDR5X相比，带宽提升60%（性能对比源自内部测试数据，其中60%带宽提升基于产品的峰值带宽对比）。该产品的功耗相比上一代LPDDR5X降低了20%，可有效延长移动设备的续航。
该芯片与SoC搭配传输速率为10667Mbps。长鑫存储称LPDDR6可为SoC提供充裕的数据带宽，满足旗舰级智能手机及高性能终端设备对计算能力的需求。
长鑫LPDDR6在研发至量产阶段实现多项技术创新：
在设计方面，长鑫LPDDR6采用双子通道架构，常规模式下配置24bit原生I/O，其高速接口支持每路信号引脚独立调校预加重（pre-emphasis）、信号均衡（DFE）参数，配合智能训练机制，保障高速传输下的信号准确性与运行稳定性。
在能效管理方面，这款芯片采用了双轨DVFS的设计，该设计提供了硬件层面的电压分离能力。同时LPDDR6也引入了动态效率模式，实现策略调度。长鑫存储称这些功能支持LPDDR6在不同负载下始终保持最佳能效比，为兼顾高算力与长续航的移动设备提供了内存支撑。
在可靠性方面，长鑫LPDDR6在原有Link ECC、On Die ECC基础上，新增每行激活计数（PRAC）防止行锤攻击，以及内建自测试（MBIST）等功能，以多重机制保障数据完整性与系统稳定性。
在工艺设计方面，长鑫存储针对CMOS区域的关键电路和设计规则LDR进行了超过100项优化和创新，制造出尺寸更小，性能更优的CMOS晶体管，支撑产品性能高带宽低功耗的升级需求。
在封装设计上，长鑫LPDDR6采用1295Ball FBGA封装，厚度仅0.61mm。其中锡球间距相较上一代量产LPDDR5X产品缩减12.5%，焊球面积则对比496Ball规格的LPDDR5提升50%，封装制造难度同步提高。
塑封工艺采用高导热High KMC环氧塑封料对芯片进行整体包覆，可将颗粒热阻降低40%，有效优化高负载场景下的热量导出效率，保障颗粒性能稳定输出。
结语：国产LPDDR6打通全链路量产，高端内存实现自主可控供给
长鑫LPDDR6的量产商用，也说明了国产存储在高端低功耗内存领域打通了从技术研发到终端落地的全链条路径。国产存储厂商从架构设计、电路优化到封装制造均实现自主可控，填补了LPDDR6产品的市场空白。
随着国产LPDDR6产品的逐步放量，其应用边界将从旗舰智能手机向智能汽车、边缘服务器、智能穿戴等多场景拓展。这一进展也将进一步完善国内高端内存供应链，为下游终端产业的自主化发展提供更稳固的存储支撑。
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