北京
国家知识产权局信息显示，北京紫亦芯集成电路有限公司申请一项名为“一种用于Chiplet集成的多功能硅基中介层结构”的专利，公开号CN122719470A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明提供一种用于Chiplet集成的多功能硅基中介层结构，涉及半导体封装技术领域，包括高导热单晶硅片，所述高导热单晶硅片的上侧面内部开设有应力缓冲槽和微流道槽，所述应力缓冲槽的内部填充有低应力聚合物，所述应力缓冲槽和微流道槽侧边对应的高导热单晶硅片内设置有铜基热柱，所述微流道槽的上端口处对应的高导热单晶硅片上粘合有顶盖，所述高导热单晶硅片和顶盖的上表面通过光刻显影的方式布设有复合电互连布线；本发明同时解决了2.5D/3D异质芯片整合中热累积、热膨胀系数失配、封装翘曲与可靠度不足问题，兼具高密度互连、高效散热与高结构稳定性，适用于高效能运算、AI、光电异质整合等先进封装场景。
天眼查资料显示，北京紫亦芯集成电路有限公司，成立于2024年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本21000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京紫亦芯集成电路有限公司参与招投标项目41次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息45条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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