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国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“用于增强欧姆接触的背侧外延生长”的专利，公开号CN122719149A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本文提供了以下技术：用于形成具有不同半导体器件的集成电路，所述不同半导体器件具有不同背侧外延区域以改善背侧外延区域与背侧接触结构之间的欧姆接触。FET(场效应晶体管)各自包括在第一方向上在源极和漏极区之间延伸的半导体材料。与p沟道源极或漏极区域相比，可以在n沟道源极或漏极区域的下侧形成不同的外延生长材料。p沟道源极或漏极区域的下侧的外延生长可以包括掺杂有硼(B)和镓(Ga)两者的硅锗(SiGe)，其中与p沟道源极或漏极区域相比，锗(Ge)浓度更高。与n沟道源极或漏极区域相比，n沟道源极或漏极区域的下侧的附加外延生长可以包括掺杂有更高的电活性百分比的磷(P)的硅(Si)。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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