兴福电子取得电子级铵盐提纯方法相关专利，该方法可提纯制高纯度电子级铵盐

来源：新浪证券-红岸工作室

9月8日消息，国家知识产权局信息显示，湖北兴福电子材料股份有限公司申请一项名为“一种电子级铵盐的提纯方法”的专利，授权公告号CN118929691B，授权公告日为2026年9月4日。申请公布号为CN118929691A，申请号为CN202410863763.2，申请公布日期为2026年9月4日，申请日期为2024年6月29日，发明人李少平、彭秋桂、贺兆波、王亮、吴昊、叶瑞、谢建、吴政、汪凡杰、孟牧麟、彭俊杰，专利代理机构湖北三峡专利代理事务所（普通合伙），专利代理师王玉芳，分类号C01C1/16、C01C1/24、B01D9/00、B01D9/02、C07C51/43、C07C53/10。

专利摘要显示，本发明涉及一种电子级铵盐的提纯方法，包括以下步骤。首先使用工业级铵盐结晶，随后用其制作高均一性分布于液态的晶种。再将工业级铵盐配制成浓溶液，降温至一定程度后加入晶种，继续降温至目标温度使晶体析出，再以2min/℃升温至10℃。最后将晶体在翻动状态下加入脱水剂，升温至15℃，甩干并干燥后得到目标产物。本方法所加晶种方式以及后续降、升温等步骤与传统工艺有较大区别，耦合了溶液结晶与两步熔融结晶等步骤，以不同工业级铵盐为原料，最后均制得各金属含量<1 ppb，铵盐纯度>99%的电子级铵盐，可应用于各种要求苛刻的高端领域。

兴福电子成立于2008年11月14日，2025年1月22日登陆上海证券交易所，注册与办公所在地均为湖北省宜昌市，是国内湿电子化学品领域核心供应商，凭借全产业链布局优势深耕半导体关键材料赛道。

兴福电子主营业务为湿电子化学品的研发、生产和销售，产品覆盖电子级磷酸、电子级硫酸等通用湿电子化学品，以及蚀刻液、清洗剂等功能湿电子化学品，申万行业分类隶属于电子-电子化学品Ⅱ-电子化学品Ⅲ，核心概念板块涵盖电子化学品、集成电路、半导体。

2026年上半年，兴福电子实现营业收入9.66亿元，在36家同行业可比公司中排名第15位，低于行业平均11.18亿元，略高于行业中位数8.76亿元，同期行业内营收排名前两位的企业分别为西陇科学（43.07亿元）、国瓷材料（25.13亿元）。营收结构中，通用湿电子化学品贡献6.48亿元，占比67.03%；功能湿电子化学品贡献1.79亿元，占比18.53%；其余业务板块中，其他业务占比10.81%，湿电子化学品回收综合利用业务实现收入2255.85万元占比2.33%，大宗气站业务收入1069.3万元占比1.11%，代工业务收入160.9万元占比0.17%，电子特气业务收入19.65万元占比0.02%。盈利端，公司同期实现净利润1.2亿元，在36家同行业企业中排名第11位，高于行业平均数1.12亿元与行业中位数6607.66万元，行业内净利润前两位企业分别为鼎龙股份（5.63亿元）、安集科技（5.32亿元）。

指标类型当期数值行业排名/总家数行业头部企业数值行业平均数行业中位数营业收入9.66亿元15/36西陇科学43.07亿元、国瓷材料25.13亿元11.18亿元8.76亿元净利润1.2亿元11/36鼎龙股份5.63亿元、安集科技5.32亿元1.12亿元6607.66万元通用湿电子化学品营收6.48亿元功能湿电子化学品营收1.79亿元

湖北兴福电子材料股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种用于高深宽比微纳结构的清洗方法发明专利公布CN202610599473.02026-04-30CN122699570A2026-09-04叶瑞、李辉、万富强、于本玲、王勇军2化学桶倾倒测试与码垛装置以及倾倒测试方法发明专利公布CN202610399547.62026-03-30CN122426560A2026-07-21田广礼、李淳、黄安祥、李坤、谢鹏3一种电子级异丙醇废液的回收精制方法发明专利公布CN202610403221.62026-03-30CN122482927A2026-07-31李少平、李超锋、吴清鹏、刘尚文、杨着4一种高纯电子级红磷的制备方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610393047.12026-03-27CN122399729A2026-07-17贺兆波、曾靖淞、万富强、李淳5一种降低半导体显示金属电极关键尺寸损失的蚀刻液及蚀刻方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610382207.22026-03-26CN122405273A2026-07-17管飞、刘丰雨、张演哲、叶瑞、贺兆波6一种半导体显示金属叠层选择性可控的蚀刻液及蚀刻方法发明专利公布CN202610382204.92026-03-26CN122483793A2026-07-31管飞、刘丰雨、张演哲、叶瑞、贺兆波7一种不损伤Si衬底的碱性半导体清洗剂发明专利实质审查的生效、公布CN202610295436.02026-03-11CN122381877A2026-07-14贺兆波、谢建、王亮、李红云、李盛亮8一种对低铟IGZO兼容的AlO碱性蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202610295434.12026-03-11CN122381816A2026-07-14谢建、王亮、李红云、李盛亮、叶瑞9一种PTFE微孔折叠滤芯清洗方法发明专利公布CN202511994651.12025-12-26CN121668812A2026-03-17李少平、郭岚峰、杨着、刘洋、汪泳10低颗粒度蚀刻后清洗剂的生产方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511945055.42025-12-22CN121930926A2026-04-28吴政、王亮、谢建、孟牧麟11一种3 D NAND深孔结构蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511944347.62025-12-22CN121930835A2026-04-28贺兆波、李飞、冯凯、班昌胜12一种抗反射层蚀刻后残留物的清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511944787.12025-12-22CN122121572A2026-05-29贺兆波、吴政、王亮、谢建13一种高纯度氢氧化钾的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511932357.82025-12-19CN121757885A2026-03-31彭俊杰、欧阳克银、吴昊、王荣、王豪14一种半导体先进封装厚型负胶剥膜液及去胶方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511930972.52025-12-19CN121879070A2026-04-17李少平、张演哲、欧阳克银、尉鹏15一种用于功率芯片低成本、高镀速纯钯化学镀液发明专利实质审查的生效、公布CN202511931936.02025-12-19CN121874763A2026-04-17秦祥、叶瑞、王蝶、罗海燕16一种离子交换树脂的干燥工艺和使用方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511931440.32025-12-19CN121869470A2026-04-17李少平、崔俊博、欧阳克银、吴昊、王荣17一种半导体先进封装厚胶剥膜液及去胶方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511930968.92025-12-19CN121879069A2026-04-17张演哲、叶瑞、贺兆波、欧阳克银、尉鹏18一种半导体功率芯片铝基纯钯化学镀液及化学镀方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511931925.22025-12-19CN121874762A2026-04-17李少平、秦祥、贺兆波、王蝶、陈小超19含苯和乙苯的电子级异丙醇废液回收方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511931950.02025-12-19CN121930071A2026-04-28吴清鹏、刘尚文、杨着、贺兆波、叶瑞20一种基于有机体系的钼蚀刻液及其蚀刻方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511910702.82025-12-17CN121951538A2026-05-01王震、冯凯、贺兆波、钟博文21一种萘酰亚胺类高纯电子级光致产酸剂的提纯方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511911777.82025-12-17CN121949206A2026-05-01焦家龙、周钢翔、吴翔、李文飞22一种通过一锅三步法反应合成有机硅稳定剂的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511901046.52025-12-16CN121851050A2026-04-14王震、冯凯、贺兆波、钟博文23一种炭化树脂中元素含量的检测方法发明专利公布CN202511888861.22025-12-15CN121540696A2026-02-17杨磊、曾远、贺兆波、李琴24一种可兼容多厚度铝/钼叠层蚀刻锥角的蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511888848.72025-12-15CN121914729A2026-04-24叶瑞、雷康乐、张演哲、钟昌东、李文飞25一种二氧化硅和非晶氧化铟锡选择性蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511878487.82025-12-12CN121914730A2026-04-24赵哲鹏、冯凯、谭小龙、严凡、叶瑞26一种高纯红磷中痕量杂质检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511868003.12025-12-11CN121762666A2026-03-31曾远、杨磊、陈香蓉、贺兆波27一种高纯电子级硅基前驱体材料微量金属杂质检测前处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511859439.42025-12-10CN121855989A2026-04-14李少平、万富强、杨着、贺兆波28一种检测强酸体系中微量四甲基氢氧化铵的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511859494.32025-12-10CN121856458A2026-04-14谭小龙、贺兆波、冯凯、李飞29一种电子级二乙氧基甲基硅烷中微量水分的检测前处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511859490.52025-12-10CN121933323A2026-04-28万富强、杨着、贺兆波、李锐峰、侯建鑫30一种硅表面清洗剂及其制备方法与应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511849707.42025-12-09CN121930923A2026-04-28杨俊伟、尹印31一种基于Visio的湿电子化学品质量控制系统构建方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511849573.62025-12-09CN121961307A2026-05-01叶瑞、陈柳、欧阳克银、刘兴荣32一种适用于RDL工艺的剥膜液发明专利公布CN202511840165.42025-12-08CN121657383A2026-03-13郑秋曈、钟昌东、高楒羽、张宗萍33一种先进封装用无氰碱性电镀银添加剂的制备方法及其先进封装用银电镀液发明专利实质审查的生效、公布CN202511828947.62025-12-05CN121781231A2026-04-03李少平、付艳梅、秦祥、杨铭、陈小超34先进封装用无氰碱性银电镀液及在电镀银上的应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511828953.12025-12-05CN121802493A2026-04-07李少平、付艳梅、秦祥、杨铭、陈小超35一种有机体系中酸和酸铵含量的近红外检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511829422.42025-12-05CN121954908A2026-05-01李少平、汪凡杰、王亮、谢建36一种低Ge含量的SiGe/Si选择性蚀刻液及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511820210.X2025-12-04CN121592351A2026-03-03余迪、尹印、马瑞、臧洋、崔会东37一种具有PSPI侧壁保护功能的选择性BOE蚀刻液及其应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511820211.42025-12-04CN121780172A2026-04-03许真、张庭、贺兆波、李金航38一种利用FIB制备TEM样品薄片的交叉减薄方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511810667.22025-12-03CN121703460A2026-03-20黄莉、曾远、徐泽、欧阳克银39一种氮化钛和钨的高选择比蚀刻液及蚀刻方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511801501.42025-12-02CN121852056A2026-04-14钟昌东、贺兆波、徐子豪、张宗萍40一种四羟基四苯乙烯类光引发剂的制备方法及紫外线吸收剂发明专利实质审查的生效、公布CN202511801652.X2025-12-02CN121850908A2026-04-14黄仁兰、张诺诺、周钢翔、吴翔41一种低电阻硅蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511801693.92025-12-02CN121852057A2026-04-14叶瑞、杨陈宗、尹印、贺兆波42一种高选择性金属蚀刻液及蚀刻方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511801389.42025-12-02CN121852055A2026-04-14叶瑞、钟昌东、曾婷、高楒羽43一种高纯黄磷中痕量杂质的ICP-MS检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511792309.32025-12-01CN121762665A2026-03-31李少平、曾远、贺兆波、李琴、杨磊44一种用于晶圆铝铜基的锌置换配方及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511792514.X2025-12-01CN121802395A2026-04-07王蝶、秦祥、付艳梅、杨铭、罗海燕45一种钨和三氧化钨的等速蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511792228.32025-12-01CN121802420A2026-04-07钟博文、冯凯、王震、叶瑞46一种连续化合成电子级甲基二乙氧基硅烷及联产氯化氢的装置及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511792510.12025-12-01CN121869237A2026-04-17张刚、万富强、侯建鑫、李锐峰、叶瑞47一种铜钛蚀刻液及其制备方法与应用发明专利公布CN202511782213.92025-11-29CN121653659A2026-03-13张玥、贺兆波、欧阳克银、钟昌东48长蚀刻寿命的缓冲氧化物蚀刻液及应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511782122.52025-11-29CN121736760A2026-03-27李金航、张庭、罗海燕、刘春丽49一种电阻率大于1 Ω·cm的硅电极的蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511782209.22025-11-29CN121736761A2026-03-27杨陈宗、尹印、万杨阳、余迪50一种高蚀刻速率的SiGe/Si蚀刻液及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511782118.92025-11-29CN121736759A2026-03-27马瑞、尹印、余迪、臧洋