上海
AI基础设施投资浪潮正将全球存储芯片市场推向前所未有的供应危机边缘。
韩国KB证券9月7日发布研报称，三星电子与SK海力士当前存储芯片库存已降至不足10天，明年DRAM与NAND的比特需求将超出供应10个百分点以上，届时可供实际销售的存储芯片物量存在耗尽的可能性。KB证券研究本部长Kim Dong-won将上述局面定性为"历史性短缺"。
该机构同时指出，三星电子与SK海力士股价近三个月较高点下跌38%，明年业绩对应市盈率仅约3倍，处于"极度低估"状态，并将两家公司列为半导体板块首选标的，预计强力重估行情即将启动。
AI投资激增，存储芯片需求急剧扩张
KB证券指出，超大规模云服务商明年AI基础设施投资规模正被大幅上调，较今年增长约60%，预计达1.3万亿美元。
Kim Dong-won表示，这一趋势的根本驱动力在于AI已开始作为云端AI服务、Token计费、Agentic AI及模型托管等直接新增收入来源加速落地，AI盈利模式正进入具体化阶段。
在AI基础设施投资中，存储芯片所占比重正快速攀升。
KB证券预计，该比重将从2024年的14%升至2025年的40%，并进一步跃升至2026年的57%，两年间扩大约4倍。
全球半导体研究机构集邦科技（TrendForce）的预测更为激进，预计2026年这一比重将达68%，两年内增长近5倍。Kim Dong-won将这一趋势归因于HBM4内存容量提升、CPU服务器DRAM需求增长以及推理用企业级SSD需求同步扩张三重因素叠加。
HBM4产能扩张蚕食通用DRAM供给
KB证券特别强调，第六代高带宽内存HBM4的产能扩张将对通用DRAM供应形成结构性挤压。
据该机构测算，生产一片HBM4晶圆所消耗的产能相当于三片通用DRAM晶圆，这意味着HBM4产量每提升一步，均以三倍比例压缩通用DRAM的可用晶圆投入量。
在晶圆总投入受限的前提下，这一结构性矛盾将直接制约可供市场销售的比特增量，成为明年供应短缺的核心成因之一。Kim Dong-won预计，明年DRAM与NAND的比特需求将双双超出供应10个百分点以上，形成"史上最严峻的供应紧张局面"。
库存告急，三星与SK海力士面临物量耗尽风险
KB证券披露，截至今年第三季度，三星电子与SK海力士的存储芯片库存已降至不足10天，当前局面已超越单纯的需求复苏范畴，可供销售的实物库存本身正面临绝对性短缺。
Kim Dong-won表示，明年实际可销售存储物量耗尽的可能性正在成为现实。
明年AI服务器将同步吸收HBM、服务器DDR5及企业级eSSD需求，多品类需求共振进一步加剧供应压力。KB证券认为，在上述背景下，存储芯片价格存在显著上行空间。
股价深度回调，KB证券看好重估行情
尽管基本面前景趋于乐观，三星电子与SK海力士股价近三个月已较高点下跌38%，明年业绩对应市盈率约为3倍。
KB证券认为，这一估值水平与两家公司未来三年有望持续刷新历史最高业绩、并维持大规模股东回报政策的预期严重背离，构成"极度低估"。
该机构将三星电子与SK海力士列为半导体板块首选标的，并预计两家公司将从当前极度低估状态启动强力重估行情。
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