广东
9月7日午后，半导体设备、材料涨幅进一步扩大，江丰电子、矽电股份分别大涨8%、7%，立昂微、芯源微、华峰测控、长川科技等多股涨超6%，拓荆科技、中微公司、北方华创等纷纷跟涨。
ETF方面，半导体设备ETF招商（561980）高开高走，截至发稿，标的指数盘中上涨3%。资金面数据显示，该ETF连续6日净流入共达2.5亿元，20个交易日内16度净流入共超6亿元，显示板块拥挤度回流后资金持续增仓。
消息面上，近日，国内半导体设备龙头北方华创在IEEE期刊发表学术论文，宣布在3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破，开发出创新的“两步循环刻蚀”工艺。
在高端设备出口管制持续收紧的背景下，这一突破或为国产存储芯片开辟一条制造新路径。业界分析认为，长鑫若能整合北方华创的国产刻蚀设备与相关工艺，将大幅提升3D DRAM自主量产的可行性，有望在2027年迎来新一轮研发突破。
数据显示，长鑫存储2026年第二季度全球DRAM市场份额已提升至10%，排名第四，是当季成长最快的DRAM供应商。
同时，华为在半导体理论层面迎重磅验证。继5月25日V1版本、7月4日V2版本之后，9月4日，华为韬定律V3版本首次以量产芯片实测数据正面回应3D堆叠散热难题，麒麟实测晶体管密度跃升55%，同等性能下NPU功耗下降66%、GPU功耗下降58%、CPU性能核心功耗下降41%。
业内分析称，北方华创近期在3D DRAM刻蚀工艺上的突破，与华为韬定律3.0从不同维度指向同一个方向——三维堆叠正在成为后摩尔时代国产半导体换道超车的确定性路径。从设备端到设计端，国产半导体产业链或正在形成从底层理论到制造工艺的完整突破链条。
据悉，半导体设备ETF招商（561980）跟踪中证半导，覆盖北方华创、中微公司、拓荆科技等、长川科技等设备龙头，2020年以来上涨422%领先半导体材料设备（302%）、科创芯片（270%）等同类指数。3D DRAM工艺突破带来的设备需求增量，叠加韬定律指引下3D堆叠架构对刻蚀、薄膜沉积等设备的持续拉动，或为国产半导体设备持续夯实逻辑。
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