北京
国家知识产权局信息显示，上海晶元威科技有限公司申请一项名为“一种高模式分离度硅基光波导、制备方法及光子集成芯片”的专利，公开号CN122690754A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明涉及一种高模式分离度硅基光波导、制备方法及光子集成芯片，属于光通信与光子集成芯片技术领域。其中，包括衬底、包层和芯层，所述衬底位于所述高模式分离度硅基光波导的底部，所述衬底的上部为所述包层；所述包层包括顶部包层和底部包层；所述芯层嵌入所述顶部包层，所述芯层的顶部设有刻蚀槽，所述刻蚀槽沿波导传输方向贯穿设置，且由所述顶部包层表面向下延伸至所述芯层内部，所述刻蚀槽与所述芯层共同构成非对称槽型光波导结构；实现了基模与高阶模之间有效折射率差的大幅提升，有效解决了传统硅基光波导模式分离度不足问题。
天眼查资料显示，上海晶元威科技有限公司，成立于2025年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，上海晶元威科技有限公司。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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