北京
国家知识产权局信息显示，深圳镓楠半导体科技有限公司申请一项名为“氮化镓功率器件及其制造方法”的专利，公开号CN122699338A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本申请提供了一种氮化镓功率器件，包括：衬底；位于衬底上的沟道层；位于沟道层上的势垒层；栅极结构；源极欧姆接触金属和漏极欧姆接触金属；氮化镓功率器件还包括：多个沿第一方向间隔排列的第二p型氮化镓区，第二p型氮化镓区形成于势垒层上方，第二p型氮化镓区位于漏极欧姆接触金属背离栅极结构的一侧；以及多个沿第一方向间隔排列的导电连接结构，导电连接结构将漏极欧姆接触金属与第二p型氮化镓区电连接；其中，第二p型氮化镓区被配置为：在漏极欧姆接触金属与源极欧姆接触金属之间的电压差大于预设阈值后，第二p型氮化镓区用于在其附近产生空穴，以使空穴与漏极欧姆接触金属附近的陷阱电子复合，以恢复二维电子气沟道的导电能力。
天眼查资料显示，深圳镓楠半导体科技有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本436.3149万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳镓楠半导体科技有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息7条，专利信息55条，此外企业还拥有行政许可10个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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