北京
国家知识产权局信息显示，北京晶格领域半导体有限公司申请一项名为“动态调节气相法生长碳化硅单晶径向温度梯度的装置及方法”的专利，公开号CN122687344A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明提供了动态调节气相法生长碳化硅单晶径向温度梯度的装置及方法，属于碳化硅晶体生产技术领域。装置包括坩埚主体、坩埚盖、若干个管路组合和温度监测模块；坩埚盖与坩埚主体连接；坩埚盖的下表面粘结有籽晶；坩埚盖的内部设有若干独立的环形通道，每个环形通道的进气口和出气口均设置在坩埚盖的上表面；管路组合包括进气管路和出气管路，进气管路、出气管路分别与进气口、出气口相连接；气体介质自进气管路流入，依次经过进气口、环形通道、出气口后，从出气管路排出；温度监测模块用于监测进气管路的进气温度和出气管路的出气温度，以通过控制进气温度与出气温度实现径向温度梯度调节。本发明实现了晶体生长过程中的径向温度调控。
天眼查资料显示，北京晶格领域半导体有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3345.6577万人民币。通过天眼查大数据分析，北京晶格领域半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息36条，此外企业还拥有行政许可6个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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