北京
国家知识产权局信息显示，苏州锴威特半导体股份有限公司申请一项名为“一种分栅沟槽碳化硅MOSFET器件”的专利，公开号CN122699374A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种分栅沟槽碳化硅MOSFET器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明设置分栅沟槽结构并在分栅沟槽中央及源区集成多类肖特基二极管，在分栅沟槽底部设置与源极短接的P型埋层，器件包括：N型衬底、N型外延层、P体区、N+源区、P+源区、P型埋层、氧化层介质、多晶硅、源极金属、漏极金属。本发明在分栅沟槽下方设置P埋层，并通过沟槽两侧的分离P型区将P埋层与源极短接，可以简化新结构制备工艺的复杂性；新结构在有效提升器件第一、第三象限静、动态性能的前提下，可以同时改善器件栅氧质量、体二极管双极退化、抗短路及浪涌电流能力等可靠性问题。
天眼查资料显示，苏州锴威特半导体股份有限公司，成立于2015年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本7368.4211万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州锴威特半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目27次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息177条，此外企业还拥有行政许可10个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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