北京
国家知识产权局信息显示，合肥安海半导体股份有限公司申请一项名为“高压功率芯片封装结构及高压功率芯片封装方法”的专利，公开号CN122679933A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明公开了一种高压功率芯片封装结构及高压功率芯片封装方法，包括：基板，具有第一表面；高压功率芯片，设置于所述基板的第一表面上，所述高压功率芯片包括表面电极，所述高压功率芯片的边缘具有环绕所述表面电极的芯片边缘高电位区域；局部增强绝缘层，至少覆盖所述芯片边缘高电位区域的至少部分表面，所述局部增强绝缘层的表面呈非平面设置；以及绝缘封装体，至少覆盖所述高压功率芯片以及所述局部增强绝缘层。本发明的高压功率芯片封装结构及高压功率芯片封装方法，能够克服现有技术中高压功率芯片封装中边缘区域在高温工况下易发生沿面放电、局部打火和漏电增大的缺陷，有效抑制高温沿面放电、提高封装耐压能力和长期可靠性。
天眼查资料显示，合肥安海半导体股份有限公司，成立于2017年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3943.4542万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥安海半导体股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息13条，此外企业还拥有行政许可11个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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