北京
国家知识产权局信息显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司申请一项名为“一种GaN HEMT器件及其制备方法”的专利，公开号CN122679663A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明提供了一种GaN HEMT器件及其制备方法，GaN HEMT器件包括：衬底、沟道层和势垒层，势垒层位于所述沟道层的一侧；P型掺杂GaN栅极帽层，位于所述势垒层远离衬底的一侧；及设置在P型掺杂GaN栅极帽层表面的栅极电极，栅极电极的材质包括MXene材料。GaN HEMT器件中，采用MXene材料替代传统金属作为栅极电极，与P型掺杂GaN栅极帽层形成肖特基接触；一方面，材质为MXene材料的栅极电极与P型掺杂GaN栅极帽层表面通过范德华力结合，可有效阻止金属波函数扰动，提升了栅极调控性能；另一方面，MXene材料与金属的吸附作用可缓解异质结构的晶格失配，避免了化学无序引起的界面偶极。
天眼查资料显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司，成立于2017年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本440000万人民币。通过天眼查大数据分析，英诺赛科（苏州）半导体有限公司参与招投标项目41次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息308条，此外企业还拥有行政许可54个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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