中欣晶圆申请硅片通孔检测相关专利，这是重掺硅片通孔的无损检测作用

来源：新浪证券-红岸工作室

9月2日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“一种基于背光透射成像的重掺硅片通孔无损检测方法与系统”的专利。申请公布号为CN122671453A，申请号为CN202610912668.6，申请公布日期为2026年9月1日，申请日期为2026年6月24日，发明人马艺迪，专利代理机构杭州九洲专利事务所有限公司，专利代理师姚旺波，分类号G01N21/95、G01N21/88、G01N21/01、G01B11/12、H10P74/20。

专利摘要显示，本发明涉及半导体材料制造技术领域，尤其涉及一种基于背光透射成像的重掺硅片通孔无损检测方法与系统，包括：暗室：内部进行消光处理，隔绝环境光干扰；载台：设置在暗室内，用于承载和定位待测重掺硅片；光源：设置在载台下方，工作时产生特定波长光束；光学检测模块：匀光层：包含毛玻璃和滤光片；光学检测模块：设置在载台上方，获取光照后的硅片正面的图像；图像处理与计算单元：与光学检测模块连接，控制图像采集、处理图像数据并输出检测结果。

天眼查数据显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司成立日期2017年9月28日，法定代表人贺贤汉，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本523559.0107万人民币，实缴资本122666.67万人民币，注册地址为浙江省杭州市钱塘区东垦路888号。杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息480条，拥有行政许可23个。

杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种防边缘塌边的硅片磨片工艺发明专利公布CN202611000756.52026-07-07CN122626084A2026-08-25缪燃2一种改善硅片边缘质量的抛光液及抛光工艺发明专利公布CN202610965685.62026-06-30CN122668633A2026-09-01姜翠兰、徐威楠、郭天天、张友海3半导体晶圆粗抛液精准配液装置及其配液方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610948076.X2026-06-29CN122516906A2026-08-07毛国领4倒角边缘硅粉残留吹扫装置及其控制方法发明专利公布CN202610936296.02026-06-26CN122644334A2026-08-28方一栋5一种基于背光透射成像的重掺硅片通孔无损检测方法与系统发明专利公布CN202610912668.62026-06-24CN122671453A2026-09-01马艺迪6校准ICP-MS前机台的清洗方法发明专利公布CN202610743000.32026-05-27CN122462314A2026-07-28苏慧云7晶圆边缘抛光真空吸盘抛布精准定位工装及其控制方法发明专利公布CN202610714833.72026-05-22CN122645192A2026-08-28陈彬8硅片双面抛光抛光垫的贴附优化方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610460108.12026-04-09CN122442510A2026-07-24吴平9一种改善硅片平坦度和表面微观纳米形貌的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610433578.92026-04-03CN122033767A2026-05-15张文军10一种基于H发明专利实质审查的生效、公布CN202610435085.92026-04-03CN122318758A2026-06-30王鸣11LAP研磨液分流装置及其改进方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610401390.62026-03-30CN122099994A2026-05-29孙贵昌12研磨机磨轮牙齿边缘视觉识别与磨损程度评估算法发明专利实质审查的生效、公布CN202610381764.22026-03-26CN122335698A2026-07-03冯黎明13一种能准确检出重掺品单晶气孔不良率的检出系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610364165.X2026-03-24CN122305916A2026-06-30张晨阳、康海洋、蔡敏杰14减少清洗后硅片表面残留水的装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610357091.72026-03-23CN122008067A2026-05-12石建群15硅片研削设备平坦度TTV稳定性加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610357084.72026-03-23CN122299516A2026-06-30苏鹏辉16一种边缘腐蚀机生产工艺中的柔性可调水平暂存台系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610300126.32026-03-12CN122126635A2026-06-02万琨17一种外延污染监控硅片及其生产方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202610299599.62026-03-12CN122180364A2026-06-09孙若力18基于BBS边抛机移载机的柔性合夹、移位、清洗系统及处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610264655.22026-03-05CN121972433A2026-05-05金忠谱19一种半导体外延片工艺中降低硅片翘曲度的系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610191045.42026-02-10CN122270106A2026-06-23吴瑶20针对硅片黑十字光消失原理的产品单晶缺陷锁定系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610152360.62026-02-03CN122108938A2026-05-29任梦21CMP设备的研磨液精准供给系统及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610128880.32026-01-30CN121733440A2026-03-27刘肖22用于超低电阻硅片的电容式平坦度测量装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610128881.82026-01-30CN122015634A2026-05-12张迪23基于复合化学机械抛光与低损伤等离子蚀刻的晶圆表面协同处理工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202610124745.12026-01-29CN122206247A2026-06-12裴宁24一种硅片片盒传递的分选机取送料系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610101895.02026-01-26CN122057704A2026-05-19张晨阳、康海洋、蔡敏杰25改善最终外观目检台聚光灯消耗的结构及其降本增效方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610066824.12026-01-19CN121782552A2026-04-03李林秀26通过颗粒测试机台测试热氧化后先行片孪晶缺陷的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610066826.02026-01-19CN122094438A2026-05-26宋金会27一种减少硅片DIC异常的柔性吸附转移系统及放置方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610066822.22026-01-19CN122094437A2026-05-26侯文艺28针对成品晶圆的包装盒可视检测系统及码放精度测量方法发明专利公布CN202610021292.X2026-01-08CN121829314A2026-04-10王伟东29提升硅片表金属清洗效率且环境友好型的工艺方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610021291.52026-01-08CN122054939A2026-05-15毛攀30一种修整8英寸硅片抛光站陶瓷盘的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037297.X2025-12-31CN121696834A2026-03-20张森阳31检测晶体微小缺陷的方法发明专利公布CN202512046375.22025-12-31CN121830714A2026-04-10何珍碧32一种提升硅片良率的多位置快速吸附机构及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512046368.22025-12-31CN121888919A2026-04-17石建群33一种8吋硅片酸腐蚀加工工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202512037300.82025-12-31CN121888881A2026-04-17缪燃34降低LPCVD工艺中单晶硅片翘曲度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512046344.72025-12-31CN121874744A2026-04-17崔涛、李鹏35一种提高晶圆双面抛光表面质量的化学机械抛光液及抛光方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037304.62025-12-31CN121895868A2026-04-21马成智36一种降低边缘抛光碎裂片的加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037302.72025-12-31CN121946339A2026-05-01徐威楠37一种提高重掺红磷单晶成晶率的热屏辐射装置发明专利实质审查的生效、公布CN202512020705.02025-12-30CN121874901A2026-04-17王忠保、张友海、杨凯、芮阳、倪浩然、白园、赵娜、李俊丽38一种可调节的硅片粗糙度的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512020706.52025-12-30CN121908871A2026-04-21李媛39一种IGBT用硅单晶轻掺厚外延片的外延层厚度在线检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512020699.92025-12-30CN121908855A2026-04-21郭体强、齐旭东40一种用于半导体晶圆化学机械抛光的低缺陷率复合抛光液及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512020703.12025-12-30CN121950188A2026-05-01姜翠兰41基于晶圆倒角机的缓冲吸附机械手系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512007568.72025-12-29CN121696852A2026-03-20杜书红42一种应用于硅片的抛光液自动配比供应系统及控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511988919.02025-12-26CN121879445A2026-04-17李炎43一种高生长速率的EPI生产方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511982257.62025-12-25CN121915492A2026-04-24赵博44一种检测亲水性硅片表面金属的ICP-MS进样装置及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511965099.32025-12-24CN121805386A2026-04-07苏慧云、戴潮45颗粒检测仪在测试过程中被吸附颗粒的改进方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511953352.32025-12-23CN121877674A2026-04-17郑斌46转品名自动核对的技术方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511953332.62025-12-23CN121958521A2026-05-01张靖47针对晶圆片盒内金属含量的防污染检测系统及快速检测方法发明专利公布CN202511941811.62025-12-22CN121678728A2026-03-17苏慧云、周桂丽、戴潮48一种降低硅抛光片体镍含量的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511938463.72025-12-22CN121888877A2026-04-17高威、张森阳49一种硅单晶粗片的轮廓参数检测系统及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511927715.62025-12-19CN121612895A2026-03-06周卫宏50一种硅片加工的全流程中防崩边闭环系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511908263.72025-12-17CN121870571A2026-04-17胡磊