芯导电子申请分裂栅功率器件相关专利，该技术可有效降低栅源间寄生电容Cgs

来源：新浪证券-红岸工作室

9月2日消息，国家知识产权局信息显示，上海芯导电子科技股份有限公司申请一项名为“一种分裂栅沟槽式功率器件及其制备方法”的专利。申请公布号为CN122679668A，申请号为CN202610664133.1，申请公布日期为2026年9月1日，申请日期为2026年5月14日，发明人罗志永、陈敏、欧新华、袁琼，专利代理机构上海慧晗知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师周冬文，分类号H10D30/66、H10D30/01、H10D64/00、H10D64/27。

专利摘要显示，一种分裂栅沟槽式功率器件及其制备方法，分裂栅沟槽式功率器件表面具有外延层的衬底，所述外延层内具有包括第一区和第二区的第一沟槽；场氧膜位于所述第一沟槽的内壁面；屏蔽栅结构包括第一场板结构和第二场板结构，所述第一场板结构填充满所述第一区的第一沟槽；所述第二场板结构，位于第一场板结构的顶面、以及所述第二区的场氧膜的内壁面，所述第二场板结构的内部具有第二沟槽；介质层，位于所述第二沟槽内和所述第二场板结构的表面；栅极结构，位于第二场板结构上并且位于所述第二区的第一沟槽内。本发明通过减小栅极和场板结构之间的相对面积以及增大栅极和场板结构之间的介质层厚度，有效降低栅极和源极之间的寄生电容Cgs。

芯导科技是国内领先的功率半导体厂商，专注于功率器件与功率IC研发，拥有深厚的技术壁垒优势。公司成立于2009年11月26日，于2021年12月1日登陆上海证券交易所，注册地与办公地均位于上海市。

芯导科技主营业务为功率半导体的研发与销售，从申万行业分类来看隶属于电子-半导体-分立器件赛道，同时覆盖股权转让、沪股通、功率半导体三大概念板块。

2026年上半年，芯导科技实现营业收入2.32亿元，在行业18家可比企业中排名第15，同期行业头部企业士兰微、扬杰科技营收分别达72.62亿元、45.15亿元，行业平均营收为14.07亿元，行业中位数为8.32亿元；营收结构方面，功率器件贡献2.11亿元，占比91.06%，功率IC实现营收2074.2万元，占比8.94%。盈利端，公司当期实现净利润7551.34万元，行业排名第8，同期行业净利润榜首扬杰科技、次席源杰科技分别录得7.57亿元、6.07亿元，行业平均净利润为9942.33万元，行业中位数为5390.72万元。

指标类型具体指标芯导科技当期数值行业排名可比头部企业数值行业平均数值行业中位数数值营业收入2026年上半年营收2.32亿元15/18士兰微72.62亿元、扬杰科技45.15亿元14.07亿元8.32亿元营收构成功率器件营收及占比2.11亿元，占比91.06%营收构成功率IC营收及占比2074.2万元，占比8.94%净利润2026年上半年净利润7551.34万元8/18扬杰科技7.57亿元、源杰科技6.07亿元9942.33万元5390.72万元

上海芯导电子科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种功率MOSFET器件及其制备方法发明专利公布CN202610886457.X2026-06-18CN122476631A2026-07-28罗志永、陈敏、欧新华、袁琼2一种分裂栅沟槽式功率器件及其制备方法发明专利公布CN202610664133.12026-05-14CN122679668A2026-09-01罗志永、陈敏、欧新华、袁琼3ESD保护器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512005172.92025-12-26CN121985589A2026-05-05郭富饶、吴中瑞、陈敏、欧新华、袁琼4一种GaN HEMT器件结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511844547.42025-12-09CN121924783A2026-04-24庞亚楠、安原、陈敏、欧新华、袁琼5一种可控硅静电防护器件及其制备方法发明专利公布CN202511746326.32025-11-25CN121568435A2026-02-24邓俊、陈敏、欧新华、袁琼、吴中瑞6静电防护器件结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511571936.42025-10-30CN121531787A2026-02-13吴中瑞、陈敏、欧新华、袁琼7一种单引脚的多功能复用电路及方法及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511579868.62025-10-30CN121618970A2026-03-06张葳、符志岗、朱同祥、欧新华、袁琼8带有高阶温度补偿的带隙基准电路实用新型授权CN202522282362.02025-10-28CN224708394U2026-09-01周家豪、符志岗、朱同祥、欧新华、袁琼9浪涌防护电路实用新型授权CN202522124846.22025-09-30CN224709364U2026-09-01周家豪、符志岗、朱同祥、欧新华、袁琼10修调电路、电子设备及存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511374985.92025-09-24CN121531996A2026-02-13朱同祥、符志岗、欧新华、袁琼11屏蔽栅沟槽MOSFET器件及屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511054162.82025-07-29CN120882048A2025-10-31魏雪娇、陈敏、欧新华、袁琼12背封结构、半导体结构及背封结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511000713.22025-07-18CN120854394A2025-10-28郭富饶、陈敏、欧新华、袁琼13屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法及屏蔽栅沟槽MOSFET器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510992217.32025-07-17CN120751721A2025-10-03罗志永、陈敏、欧新华、袁琼14高精度浪涌保护电路、电源连接线、设备、系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510156412.22025-02-12CN119864781A2025-04-22周家豪、符志岗、张葳、欧新华、袁琼15高精度浪涌保护电路、电源连接线、设备及系统实用新型授权CN202520225410.X2025-02-12CN223829034U2026-01-23周家豪、符志岗、张葳、欧新华、袁琼16电阻修调电路及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202411985889.32024-12-31CN120074491A2025-05-30张葳、符志岗、朱同祥、欧新华、袁琼17一种静电保护器件的制备方法及结构发明专利实质审查的生效、公布CN202411928637.72024-12-25CN119947145A2025-05-06郭富饶、陈敏、吴中瑞、欧新华、袁琼18一种开关芯片、电路系统及电子设备发明专利授权、公布CN202411941642.12024-12-25CN120072774B2025-10-31符志岗、张葳、朱同祥、欧新华、袁琼19一种开关芯片、电路系统及电子设备发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411894195.92024-12-20CN119420175B2025-06-10符志岗、张葳、朱同祥、欧新华、袁琼20一种平面型碳化硅MOSFET器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411873260.X2024-12-18CN119907272A2025-04-29庞亚楠、陈敏、袁琼、史志扬、安原、高海杰、范莘培21一种修调配置电路的版图结构、电子电路以及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202411801807.52024-12-09CN119940269A2025-05-06朱同祥、符志岗、张葳、欧新华、袁琼22恒功率PWM信号控制方法、功率电路、设备以及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202411471899.52024-10-21CN119628610A2025-03-14周家豪、符志岗、欧新华、袁琼、朱同祥23SGTMOS管的器件结构制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411442909.22024-10-15CN119603984B2025-09-26魏雪娇、陈敏、欧新华、袁琼、戴维24恒功率PWM信号控制方法、功率电路、设备以及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202411315519.92024-09-19CN119382676A2025-01-28周家豪、符志岗、欧新华、袁琼、朱同祥25内嵌MIM结构的ESD保护器件、制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411278936.02024-09-12CN119364859A2025-01-24陈敏、郭富饶、欧新华、袁琼、戴维26一种静电防护结构及制备方法、半导体器件及制备方法发明专利公布CN202411038270.12024-07-30CN118763074A2024-10-11陈敏、吴中瑞、欧新华、袁琼、戴维27一种T型沟槽栅碳化硅MOSFET器件结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410535561.52024-04-29CN118630057A2024-09-10庞亚楠、陈敏、欧新华、史志扬、安原、高海杰28浪涌防护芯片及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202410299443.92024-03-15CN117977517A2024-05-03张葳、符志岗、欧新华、袁琼、朱同祥29浪涌防护芯片及系统实用新型授权CN202420503847.02024-03-15CN222673914U2025-03-25张葳、符志岗、欧新华、袁琼、朱同祥30高精度浪涌保护电路、电源连接线、设备、系统及方法发明专利发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、公布CN202410245652.52024-03-05CN117996710A2024-05-07周家豪、符志岗、张葳、欧新华、袁琼31双向GaNHEMT器件与双向GaNHEMT器件的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410141423.92024-01-31CN118263295A2024-06-28庞亚楠、陈敏、欧新华、袁琼、安原32TrenchMOSFET器件的自对准的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311607585.92023-11-28CN117612942A2024-02-27傅钢杰、陈敏、欧新华、袁琼、庞亚楠33沟槽栅SiCMOSFET器件结构及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311438222.72023-10-31CN117457739A2024-01-26庞亚楠、陈敏、欧新华、袁琼、孙国臻、安原34一种GaNHEMT器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311183046.72023-09-13CN119698022A2025-03-25孙国臻、陈敏、欧新华、袁琼35一种双电源供电电路、电子电路及设备实用新型授权CN202322466822.62023-09-11CN220985374U2024-05-17吴晨雨、刘宗金、夏杰、欧新华、袁琼36低电容MOSFET器件及制备方法、电子设备及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311007344.02023-08-10CN117038734A2023-11-10李艳旭、张凯凯、陈敏、欧新华、袁琼37SiCMOSFET器件及制备方法、电子设备及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310980949.12023-08-04CN117012828A2023-11-07庞亚楠、陈敏、欧新华、袁琼、戴维38基于开路失效模式的保护芯片的结构与电子设备实用新型授权CN202322087945.92023-08-04CN220775393U2024-04-12张葳、符志岗、欧新华、袁琼、陈敏39电荷泵预充电电路及电子设备实用新型授权CN202321994309.82023-07-26CN220475611U2024-02-09邱星福、符志岗、欧新华、袁琼、陈敏40电荷泵故障检测电路、充电插头、充电系统及电子设备实用新型授权CN202321987378.62023-07-26CN220473673U2024-02-09邱星福、符志岗、欧新华、袁琼、陈敏41电荷泵故障检测电路、检测方法及电子设备发明专利授权、公布CN202310931651.12023-07-26CN116908743B2025-07-22邱星福、符志岗、欧新华、袁琼、陈敏42电荷泵预充电电路及电子设备发明专利授权、公布CN202310927841.62023-07-26CN116865556B2025-07-22邱星福、符志岗、欧新华、袁琼、陈敏43环境温度校准、测量装置以及系统实用新型授权CN202320377351.92023-03-01CN219657053U2023-09-08郁俊燕、陈敏、欧新华、袁琼、戴维、孙春明44肖特基二极管及制作方法，以及电子设备及制作方法发明专利授权、公布CN202310046958.32023-01-31CN116072705B2025-08-26王莹、欧新华、袁琼、陈敏、符志岗、孙春明、李艳旭45SGTmosfet器件及其制备方法、电子设备及其制备方法发明专利授权、公布CN202211711010.72022-12-29CN116053313B2025-09-23李艳旭、欧新华、袁琼、陈敏、符志岗、孙春明、王莹、庞亚楠46MOSFET器件的制作方法、及其器件、设备的制作方法及其设备发明专利授权、公布CN202211464258.82022-11-22CN115763548B2025-08-29李艳旭、欧新华、袁琼、陈敏、符志岗、孙春明47SiCTrenchMOSFET器件的制造方法、器件、设备以及制作方法发明专利授权、公布CN202211464292.52022-11-22CN115910793B2025-09-23李艳旭、欧新华、袁琼、陈敏、符志岗、孙春明48高精度电流采集电路以及电子设备实用新型授权CN202222314438.X2022-08-31CN218240203U2023-01-06张葳、符志岗、邱星福、朱同祥、宁亚平、欧新华、袁琼49高精度电流采集电路以及电子设备发明专利授权、公布CN202211055032.22022-08-31CN115267300B2025-07-22张葳、符志岗、邱星福、朱同祥、宁亚平、欧新华、袁琼50公共交通扶手装置实用新型授权CN202221818212.72022-07-15CN219115302U2023-06-02吴晨雨、刘宗金、夏杰、吴佳、欧新华、袁琼