中金研究 | 玻璃基板：AI先进封装新材料，关注核心设备放量

（本文转载自“中金点睛”）

台积电、英特尔等头部厂商正加快推进玻璃基板在下一代先进封装中的导入验证：2026年6月台积电建成约310×310mm面板试点线[1]，并联合揖斐电、群创的CoWoS玻璃基板三方验证[2]；2026年7月英特尔与蓝思达成合作研发玻璃封装技术[3]。

我们认为随着AI大芯片封装尺寸升级，玻璃基板有望成为下一代先进封装的重要材料平台，相关核心设备环节有望率先受益。

摘要

玻璃基板正处于“从0到1”阶段，核心场景为先进封装，成长潜力高。随着AI算力芯片向更大尺寸、更高密度演进，传统CoWoS路径面临成本高、翘曲控制难、大尺寸良率瓶颈等挑战，玻璃基板凭借低热膨胀系数、低介电常数等特性，可用于临时载板、玻璃芯基板与玻璃中介层。全球头部厂商普遍在试点线建设、样品送样与客户验证阶段，我们预计2027-2028年为小批量商用关键节点。同时，玻璃基板在CPO光电共封装、消费电子、通信等领域同步打开，成长空间广阔。

玻璃基板至2030年设备累计空间近500亿元，远期渗透率打开有望达千亿元。材料端，我们测算2030年用于玻璃中介层的CoPoS Panel市场空间为94亿元，用于玻璃芯载板的玻璃母板市场空间为415亿元；设备端至2030年累计市场空间约489亿元；我们认为随玻璃基板渗透率提升，远期设备空间有望达千亿元量级。

设备端建议关注两条核心投资路径：1）重点关注核心增量环节：TGV设备，在玻璃面板上高精度高密度通孔，相比TSV，工艺省略了绝缘层，并降低高速信号的损失；2）建议关注针对玻璃特性与板级封装特性的改良设备中高价值量、高技术壁垒与低国产化率设备：如PVD、电镀、曝光、检测等环节。其中，PVD与电镀环节较为复杂，约占产线投资40%，电镀环节壁垒高且易出现空芯包洞对基板良率影响较大，整体国产化率仍较低。

风险

产业化进度不及预期风险；下游需求不及预期风险。

正文

投资摘要

随着AI算力芯片向更大尺寸、更高密度迭代，传统CoWoS在成本、翘曲与大尺寸良率上的瓶颈日益凸显，玻璃基板作为新一代封装材料正受到产业链重视。产业已经进入从0到1阶段，核心设备有望率先受益。作为潜力较大的新技术方向，我们建议投资者重点关注新增量TGV设备，以及PVD、电镀、曝光、检测等高价值量改良环节。

一、玻璃基板在AI先进封装领域进入0到1阶段，具备高成长潜力。

我们认为，玻璃基板性能优势突出、应用场景多元，有望在先进封装、CPO等领域加速渗透，成长潜力大。从需求侧看，AI算力芯片向更大尺寸、更高密度演进，传统CoWoS路径面临成本高、翘曲控制难、大尺寸良率瓶颈等挑战，玻璃基板凭借低热膨胀系数、低介电常数等特性，成为玻璃芯载板与玻璃中介层的共同解，同时在CPO光电共封装、消费电子、通信领域等多个场景同步打开，成长空间广阔。

我们认为玻璃基板产业进程进入“从0到1”阶段，2027-2028年是小批量商用的关键节点。目前全球头部厂商普遍进入试点线建设，样品送样与客户验证阶段。台积电已于2026年6月建成约310X310mm的CoPoS面板试点线，并启动CoWoS玻璃基板三方验证。2026年7月英特尔与蓝思达成合作研发玻璃封装技术。

二、我们估算至2030年设备累计空间489亿元，远期有望达千亿元量级

材料端：在CoPoS技术逐步导入、玻璃芯载板渗透率提升、良率爬坡等核心假设下，我们测算2030年用于玻璃中介层的CoPoS Panel市场空间为94亿元；用于玻璃芯载板的玻璃母板市场空间为415亿元，2027-2030年CAGR为78.5%。

设备端：基于TGV加工效率与产线价值量结构假设，我们测算2027-2030年CoPoS设备累计市场总空间约489亿元；其中钻孔（TGV）、PVD与电镀设备市场空间各约98亿元，曝光设备市场空间约为49亿元，检测设备市场空间约73亿元。我们认为，随玻璃板材渗透率提升，未来设备累计市场空间有望达到千亿元量级。

三、建议重视增量环节TGV设备，以及其他技术升级环节

新增环节：TGV设备以激光诱导深度刻蚀在玻璃面板上实现高精度高密度通孔，替代TSV，价值量约占产线20%；由于玻璃本身绝缘，工艺相比TSV省去绝缘层并降低高速信号损耗。

改良环节：其余设备围绕玻璃特性与板级封装重新设计。

1）针对玻璃表面光滑、与金属层界面结合力弱，活化与化学镀设备需改良药液配方与工艺，海外主导，国产化较慢；

2）针对玻璃硬脆易裂，夹取与传输技术整体升级；

3）针对板级封装大尺寸需求，PVD、涂布等设备加强镀层与膜厚均匀性；

4）针对新增的TGV工艺，检测环节新增激光改性、TGV抛光等针对性量检测以提高产品良率。

图表1：玻璃基板在先进封装中的市场空间测算

注：测算中玻璃母板规格为510mm*515mm

资料来源：TrendForce，Scribd，SEMI Vision，IT之家，台积电官网，台积电2025年年报，芯智讯公众号，LPKF官网，中金公司研究部

图表2：新增/改良工艺设备一览

资料来源：公司年报，公司官网，公司投资者关系活动记录，艾邦半导体网，化工仪器网，businesswire，NextPCB，中金公司研究部

玻璃基板：AI先进封装新材料

一、玻璃基板：以高纯玻璃为核心材料制成的高精度基板

玻璃基板是以特种玻璃为核心材料制成的高精度基础载体。相比传统有机载板（如ABF）及部分硅中介层，玻璃基板具备以下显著优势：

► 高平整度与低粗糙度：玻璃基板具有较高的表面平整度和低粗糙度，其翘曲程度比有机基板好约3倍，为微小尺寸半导体器件的制造提供理想的平台。

► 热稳定性与低热膨胀系数（CTE）：玻璃基板热稳定性强，可在高温环境下保持性能稳定。相较于有机（ABF）基板，其热膨胀系数约为3-10ppm/°C，与硅接近，有助于减少封装过程中因热失配导致的应力问题，有效解决了3D-IC堆叠扭曲的问题。

► 高介电常数与低介电损耗：玻璃材料是一种绝缘体材料，介电常数（Dk）可低至2.5-3.0，损耗因子比硅材料低2~3个数量级，可以有效提高传输信号的完整性。

图表3：三种基板性能对比

资料来源：AmiNext，中金公司研究部

依托玻璃材料优势，玻璃基板可应用于AI算力先进封装、光模块、消费电子领域、5G/6G通讯等多个领域，从产业化进展来看，各应用方向的落地节奏差异较为明显，部分已进入量产阶段。

► AI半导体先进封装：主要用于临时载板、玻璃芯基板与玻璃中介层。其中，临时载板已量产，玻璃芯载板与玻璃中介层处于试点验证与送样阶段，台积电、英特尔、三星等头部厂商2026年密集验证，规模量产指向2028-2030年。

► CPO：主要用于OE中承载EIC与PIC的玻璃基板、光纤阵列单元（FAU）与ASIC和OE共封装的Glass substrate / Glass interposer。其中，OE玻璃基板已进入小批量送样，2026年1月沃格光电/通格微已完成玻璃基1.6T光模块/CPO送样；Glass Bridge替代FAU与全流程玻璃基CPO仍处方案验证与工程开发阶段，商业化落地节奏相对晚。

► 消费电子显示：传统显示成熟、新型显示放量。玻璃基板在LCD/OLED中为成熟应用；Mini LED玻璃基背光已在高端电视与显示器规模化量产；Micro LED市场规模稳中有增；UTG随折叠屏渗透率提升持续放量，我们认为有望在车载、商业航天等场景应用。

► 5G-A/6G天线（Aip）与射频无源器件（IPD）：主要用于Massive MIMO/AAU、封装天线（AiP）与晶圆级射频 IPD。玻璃基IPD已有量产，玻璃基AiP仍处实验室阶段。云天半导体3D Glass IPD单个量产项目2025年二季度交付突破1000万颗；长电科技2026年4月17日完成玻璃基TGV+PSPI晶圆级射频IPD工艺验证。

具体应用落点及产业化进展梳理如下：

图表4：玻璃基板主要应用场景

资料来源：公司官网，公司投资者关系活动记录，公司互动易，艾邦半导体网，TrendForce，Omdia，IEEE Xplore，中金公司研究部

二、应用场景一：AI半导体先进封装，头部厂商加速布局，2027-2028年有望实现量产

目前半导体先进封装技术以台积电CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）为代表：逻辑芯片与HBM堆叠在硅中介层上，再封装于ABF有机载板。传统CoWoS路径面临ABF有机载板成本高、翘曲控制难、大尺寸良率瓶颈等挑战，行业正沿两条技术路线演进：1）保留Substrate、采用Panel级制造及Glass Core基板的CoPoS路线，用方形面板取代传统的圆形玻璃载体，提高了RDL的利用率，并消除了边缘和角面积的损失；2）去除Substrate，Interposer直接连接PCB的CoWoP路线，简化结构，缩短了信号路径。

图表5：AI芯片先进封装技术演进路径示意图

资料来源：科技新报，中金公司研究部

在此基础上，随着AI芯片尺寸和HBM堆叠数量持续提升，封装技术进一步向更高集成度、更简化架构演进。CoPoP（Chip-on-Panel-on-PCB）采用面板级加工（玻璃中介层+高密度玻璃芯叠层板）制作，让大尺寸多芯片组件（多颗GPU Die +10-12+堆HBM），通过玻璃中介层直接键合到高阶系统PCB，形成更简洁的结构。

图表6：CoPoP结构示意图

资料来源：未来半导体，中金公司研究部

图表7：封装技术路线一览

资料来源：科技新报，TrendForce，未来半导体，中金公司研究部

在先进封装向大尺寸、高密度演进的过程中，玻璃基板在应用上可分为三类，并以 TGV工艺替代TSV工艺实现互连升级：

► 玻璃载板Glass Carrier以大尺寸方形Panel替代传统圆形晶圆临时载板，提升面积利用率和产能，提升产品良率。

► 玻璃芯基板Glass Core Substrate以玻璃芯替代ABF等有机芯层，缓解大尺寸封装翘曲。

► 玻璃中介层Glass Interposer替代硅/有机中介层，解决信号损失问题。

► 互连工艺层面，TGV逐步替代TSV，与RDL协同完成层间的直接传输和信号耦合，提高传输效率。

产业进展：头部厂商率先布局，2027年-2028年是小批量商用关键节点

我们观察到近年以英特尔、台积电、三星为代表的头部厂商率先布局，成为玻璃基板产业化的核心推动力量。

台积电：先进封装技术仍以CoWoS为主，面向更大尺寸AI封装的CoPoS已于2026年6月建成约310×310mm面板试点线，并启动与揖斐电、群创的CoWoS玻璃基板三方验证，公司预计产能未来2–3年逐步放量。

英特尔：2023年9月官宣玻璃芯基板，定位突破有机基板瓶颈并支撑2030年万亿晶体管封装；2026年1月NEPCON展示首款EMIB+玻璃芯样品，7月与蓝思达成合作研发玻璃封装技术，公司计划商业化落地于2026-2030年。

三星电机：2024年9月，公司于KPCA 2024展会首次展出玻璃芯的基板。2025年1月已建设试生产线，公司预计2027年量产。

我们认为2027年-2028年是玻璃基板小批量商用的关键节点：

在台积电、英特尔等头部厂商加快玻璃基板技术布局的同时，Absolics、NEG 等厂商相继展开产线规划、送样验证及产品出货：海外Rapidus预计于2028年开始量产用于搭载多个半导体芯片的大型玻璃基板；国内根据京东方投资者关系活动记录，公司2026年上半年已实现玻璃基封装载板试验线的全自动化设备通线，该试验线设计产能1,000片/月；2026年7月，上海先封科技联合燧原科技在WAIC 2026大会上发布国内首款、国际领先的AI大算力芯片CoPoS板级先进封装样品；8月，上海先封科技银团贷款签约总额超12亿元，全面支撑CoPoS先进封装产线落地。

图表8：全球主要厂商玻璃基板布局进展

资料来源：TrendForce，韩国先驱报，东森财经新闻，联合新闻网，艾邦半导体网，上海先封科技公众号，各公司官网，中金公司研究部

三、应用场景二：CPO光电共封装，玻璃可代替有机基板与FAU，全流程玻璃基仍待开发

CPO（光电共封装）将交换ASIC、光子芯片（PIC）、电芯片（EIC）封装在同一块载板上，让光引擎紧贴芯片，缩短电互联、降低功耗、降低延迟、提升带宽。

图表9：CPO封装示意图

资料来源：ASE，中金公司研究部

1#玻璃基光引擎载板：承载PIC/EIC的OE封装基板

光引擎（Optical Engine，OE）是CPO系统的功能核心，承担电信号与光信号的双向转换，通常集成电子集成电路（EIC）、光子集成电路（PIC）及相关光学器件。

根据EIC与PIC的空间集成方式，OE可采用2.5D或3D集成：2.5D架构下，EIC与PIC并排安装于中介层上，通过中介层实现高速电互连；3D架构下，EIC与PIC进一步进行垂直堆叠。玻璃基板可作为OE中的Glass Interposer，利用TGV等结构实现EIC、PIC之间的高速电互连。

2#玻璃桥（Glass Bridge）：替代光纤阵列单元（FAU）

2026年6月，康宁提出玻璃桥方案，对标取代光纤和PIC连接用的FAU。

► 核心技术：IOX（离子交换）为核心技术，具体步骤是：1）银离子扩散，把基材泡在盐浴中，用银离子去置换玻璃里的钠离子，形成高折射率的波导体材料；2）反向离子交换，将波导层沉到玻璃表面下方，保护它不容易磨损并优化跟光纤的长度匹配；3）用LDI去定义走线，让波导图案成型，把光纤约250微米的标准间距收敛到PIC约30微米的通道间距。

3#玻璃基CPO共封装基板：ASIC与OE的共同载板/中介层

玻璃在CPO中主要为封装基板（Substrate）与中介层（Interposer）：

► Glass substrate作为ASIC与OE共同封装的承载基板，位于芯片与PCB之间。ASIC、OE等器件直接搭载在玻璃基板上，玻璃通过TGV实现芯片之间以及芯片与PCB之间的高密度电连接。

► Glass interposer作为ASIC、OE与下层封装载板之间的中介层，上方承载或连接ASIC、OE等器件，下方连接封装载板。玻璃主要利用TGV实现上下层垂直导通，并通过高密度线路将芯片的大量微小I/O接口转换为下层封装基板可承接的连接形式，从而实现高密度电连接和信号传输。

四、应用场景三：玻璃基板应用于消费电子显示及折叠屏

玻璃基板在消费电子领域主要应用于传统显示和新型显示两大领域：

1）新型显示：Mini LED与Micro LED 显示是基于微米级LED芯片的新型显示技术，玻璃基板是其核心承载与散热介质；超薄玻璃（UTG）具有强度高、可弯折、回弹性好的特性，用于柔性显示的盖板，如折叠屏手机盖板；

2）传统显示：主要有传统LCD、OLED作为智能手机主流显示面板。玻璃基板在消费电子应用的核心价值在于高平整度、高透光率、尺寸稳定性及超薄化能力，可满足高端显示升级与终端轻薄化、小型化、高集成度与高可靠性的趋势；

图表10：玻璃基板在消费电子的应用

资料来源：京东方官网，Garmin官网，肖特官网，中国高新网，中金公司研究部

五、应用场景四：5G-A/6G通信的天线与射频无源器件

随着无线通信系统向更高频段（5G/6G）发展，天线和射频芯片封装面临挑战。全球数据流量快速增长，对封装层面的集成密度和电气性能提出了严格要求，也从计算架构角度对数据吞吐量和带宽效率提出了要求。

六、玻璃基板在先进封装应用下的市场空间测算

核心结论：

1） 玻璃基板市场空间：我们在CoPoS技术逐步导入、玻璃芯载板渗透率提升、良率爬坡等核心假设下，得到2030年用于Glass interposer的CoPoS Panel市场空间测算为94亿元；2030年用于Glass core substrate的玻璃母板市场空间为415亿元，2027-2030年CAGR为78.5%。

2） 玻璃基板设备市场空间：基于TGV加工效率与产线价值量结构假设，我们测算2027-2030年CoPoS设备市场总空间约489亿元；其中钻孔（TGV）、PVD与电镀设备市场空间各约98亿元，曝光设备市场空间约为49亿元，检测设备市场空间约73亿元。

核心假设：

► 台积电CoWoS晶圆年产能：根据IDC报告《Worldwide Semiconductor Advanced Packaging Forecast and Analysis》，台积电2026年CoWoS产能预计108万片，2027年将扩大到147万片。我们计算得到同比增长+36%，我们假设2028-2030年年增长率为30%-40%。

► 台积电市占率：根据TrendForce，2024-2027年，台积电在全球2.5D封装产能占比分别为71.8%/70.2%/69.8%/70.6%。

► CoWoS-S/R/L结构占比：根据TrendForce，CoWoS中，CoWoS-L在2025年占比60%并不断增长。根据SEMI Vision，2026年CoWoS-R结构占比为5%。因此我们假设2027-2030年，CoWoS-R结构占比始终为5%,CoWoS-S/L结构占比始终为95%。

► 玻璃板材替代率与良率：根据前文分析，我们假设2027-2030年CoPoS替代率分别为0%/0%/3%/5%；玻璃芯载板替代率分别为5%/10%/20%/30%；玻璃芯载板工艺良率为70%/75%/80%/85%。

► 玻璃母板尺寸与价值量：根据SCHOTT官网，用于先进封装的玻璃母板尺寸为510mm*515mm；我们假设该尺寸单玻璃母板价值量为6万元。

► 单台TGV设备年加工效率：根据LPKF披露的LIDE工艺数据，其单激光系统对玻璃通孔（TGV）的改性处理速度已超过每秒5,000个孔。因此我们假设TGV设备加工效率为5000孔/秒，日加工小时为18小时，年加工天数为300天，即单台TGV设备年加工效率972亿孔。

► TGV设备单价与产业链各环节价值量占比：根据后文对产业链各环节的拆分与分析，我们假设TGV设备单价为1200万元/台，占CoPoS设备产线的20%，设备产能利用率2027-2030年分别为70%/75%/80%/85%，设备稼动率为80%；其他环节包括：PVD设备、曝光设备、电镀设备、检测设备分别占产线的20%/10%/20%/15%。

玻璃基板产业链拆解

玻璃基板先进封装工艺流程：TGV成孔、电镀与检测为核心价值环节

玻璃基板作为先进封装的材料，其制作工艺主要包括：

1）玻璃基板准备：玻璃原板制造、清洗；2）通孔形成：激光改性、刻蚀成孔；3）金属化处理与通孔填充：活化、溅射、化学镀、电镀、CMP；4）RDL再布线：溅射、涂覆光刻胶、曝光、显影、电镀、刻蚀；5）后续处理：划切、检测。

► 熔炉（玻璃原板制造）：溢流熔融法为当前主流成型工艺，配方与成型壁垒高。

► 清洗设备：主要用作去除颗粒、有机物与刻蚀残留，壁垒在于均匀性、低损伤，是良率基础。全球设备格局高度集中，国产加速替代。

► 激光微孔/刻蚀成孔设备（钻孔）：主流技术是激光诱导深蚀刻技术，分为激光诱导改性+湿法刻蚀两步，壁垒在于成孔一致性与完整性（无裂纹）。

► 活化设备：用于在金属化前对玻璃表面及孔壁进行活化处理，增强后续金属层与玻璃的结合力。壁垒在于环境温度控制与键合对准的高精度。全球市场以海外设备为主，国产化进度缓慢。

► 溅射设备：在孔壁与表面沉积阻挡层/种子层（Ti/Cu、Cr/Cu），为后续电镀提供导电基底，壁垒在于均匀性与高定位精度。全球市场格局为国外引领，国内加速替代。

► 化学镀设备与化学镀药水：通过自催化化学反应在玻璃表面及孔壁沉积一层导电金属（主要为化学镀铜），是种子层制备的另一条技术路径。主要壁垒在化学镀液配方。竞争格局以海外为主，国内市场加速替代。

► 水平电镀设备（通孔填铜）：以“自下而上”方式实现TGV无缝填铜，壁垒在于均匀性与完整性。市场格局以海外为主，国产加速突破。

► CMP设备：在机械摩擦时抛光液与晶圆表面材料的化学反应，从而实现晶圆表面的纳米级平坦化。壁垒在于工艺变量控制要求严苛、终点检测困难。高端市场海外为主、国产快速替代。

► 涂布机：用于在玻璃基板表面均匀涂覆光刻胶或层压干膜，为曝光显影提供感光介质层，壁垒在于涂膜的均匀性与对基板的兼容能力。

► 曝光设备：将RDL线路图形转移至基板，主流路线是激光直接成像技术（LDI），壁垒在于高精度与一致性。

► 显影设备：通过喷淋显影液或者通过将晶圆浸入化学显影剂的溶液中去除多余的光刻胶，壁垒在于环境控制。

► 垂直电镀设备：是RDL再布线的线路成形的主流技术，基板垂直悬挂、由传动系统带动连续通过电镀槽，配合不溶性阳极与整流电源完成沉积，壁垒在于均匀性。市场格局以海外为主，国内替代逐步推进。

► 刻蚀设备（种子层刻蚀）：RDL成型后去除多余阻挡层/种子层（Cu/Ti），完成线路定义，多采用湿法刻蚀，壁垒在于底切控制。竞争格局以海外为主，国产逐步替代。

► 划切设备：使用刀片或激光等方式切割晶片的高精度设备将完成布线与封装工序的大尺寸玻璃面板分割为单颗基板/封装体，壁垒在于高精度与高成本（激光切割）。

► 检测设备：贯穿全流程进行量测与缺陷识别，含AOI、Metrology（量测）与X-ray三类，壁垒在于高分辨率与高精度检测。

相对传统封装产线，玻璃基板设备升级可概括为两条路径：新增与改良。新增工艺设备为TGV设备，以激光诱导刻蚀替代硅通孔TSV；其他环节均围绕玻璃光滑、脆性与大尺寸面板级封装要求，对工艺与设备进行改良与升级。

► 新增工艺设备：TGV设备。采用激光诱导深度刻蚀，在玻璃面板上高精度高密度通孔，相比TSV，工艺省略了绝缘层，并降低高速信号的损失。

► 改良工艺设备：传统封装中的环节针对玻璃特性与板级封装要求升级与改进。1）针对玻璃光滑、与金属层界面结合能力弱，活化设备、化学镀设备等改良了镀液配方等；2）针对玻璃硬脆的特性，设备加工夹取与传输技术升级；3）针对板级封装大尺寸特性，PVD设备、涂布设备等均对加工均匀性进行改良升级；4）针对新增的TGV工艺，检测环节新增激光改性、TGV抛光等针对性检测环节，提高产品良率。

风险提示

► 产业化进度不及预期风险：玻璃基板仍处于客户验证和小批量导入阶段，TGV成孔、金属化、电镀填孔、RDL布线等关键工艺的良率要求高。当前国内厂商在玻璃基板核心工艺、专用设备及产业链配套方面仍处于追赶阶段，技术攻关与客户验证周期较长。若关键技术突破进展不及预期，可能影响产业化落地进程及市场渗透速度。

► 下游需求不及预期风险：玻璃基板需求主要受AI算力芯片、先进封装、CPO等领域拉动，若AI服务器资本开支放缓、先进封装升级节奏延后，相关玻璃基板及设备需求释放可能不及预期。

[1]https://www.trendforce.com/presscenter/news/20260617-13107.html

[2]https://www.trendforce.cn/industry-news/optoelectronics/20260618-5601.html

[3]https://newsroom.intel.com/new-technologies/intel-and-lens-technology-collaborate-to-enable-advanced-semiconductor-packaging-for-the-ai-era

文章来源

本文摘自：2026年8月22日已经发布的《AI 寻机 11：玻璃基板：AI 先进封装新材料，关注核心设备放量》

鲁烁 分析员 SAC 执证编号：S0080524070023

严佳 分析员 SAC 执证编号：S0080522090006； SFC CE Ref：BUX903

刘中玉 分析员 SAC 执证编号：S0080521060003； SFC CE Ref：BSP722

张杰敏 分析员 SAC 执证编号：S0080524110002； SFC CE Ref：BVF825

张梓丁 分析员 SAC 执证编号：S0080517090002； SFC CE Ref：BSB840

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