国家知识产权局信息显示,武汉汇迪森信息技术有限公司申请一项名为“一种闪存芯片的读重试方法和数据储存装置”的专利,公开号CN122676884A,申请日期为2026年6月。
专利摘要显示,本申请属于读重试优化领域,具体公开一种闪存芯片的读重试方法和数据储存装置。本申请在原有重读表基础上,引入闪存芯片温度表和数据块健康信息表,读命令出错时,通过三张表的联动,确定此时芯片页所在块已擦写次数、芯片页写入温度、当前读取温度、归一化保持时间、读干扰计数,再通过预训练的重读表预测模型,得到预测重读表项,接着访问预测重读表项,执行重读操作。本申请通过环境信息协助快速定位出重读表表项,避免大量不必要重读操作,显著降低平均读取延迟与最坏情况下尾延迟,提升数据存储装置的读重试效率。此外,重读表预测模型在训练时,训练样本集覆盖多种写入温度和多种读取温度,充分考虑写入‑读取温度差较大,避免读重试出错。
天眼查资料显示,武汉汇迪森信息技术有限公司,成立于2012年,位于武汉市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析,武汉汇迪森信息技术有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目10次,财产线索方面有商标信息29条,专利信息18条,此外企业还拥有行政许可3个。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
本文源自:市场资讯
作者:情报员
特别声明:以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布,本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.