北京
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“CIS的隔离区的双重曝光形成方法”的专利，公开号CN122679711A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明公开了一种CIS的隔离区的双重曝光形成方法，包括：进行第一次光刻工艺在半导体衬底上形成第一光刻胶图形，第一光刻胶图形的第一条形窗口定义出各像素的第一方向延伸的第一隔离区。进行第一次离子注入在第一条形窗口底部形成第一隔离区。进行第二次光刻工艺在半导体衬底上形成第二光刻胶图形，第二光刻胶图形的第二条形窗口定义出各像素的第二方向延伸的第二隔离区。进行第二次离子注入在第二条形窗口底部形成第二隔离区，在各像素中，各第一和第二隔离区呈首尾垂直相连形成呈无圆角的环形像素隔离区。本发明能防止出现圆角形貌从而使隔离区的形貌最佳，从而能在像素面积不变的条件下增加光电二极管的面积并从而增加FWC。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2951次，专利信息2128条，此外企业还拥有行政许可119个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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