北京
国家知识产权局信息显示，中锃半导体（深圳）有限公司申请一项名为“等离子体刻蚀装置”的专利，公开号CN122677364A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本申请提供了一种等离子体刻蚀装置，包括刻蚀腔体、等离子体产生组件、承载体、法拉第笼和倾斜角度调节架。法拉第笼包括导电性的笼体顶部，笼体顶部设置于刻蚀腔体内，且笼体顶部与承载面间隔设置；笼体顶部所在平面与承载面具有倾角，笼体顶部通过倾斜角度调节架安装于承载体的上方，倾斜角度调节架用于调节笼体顶部所在平面相对承载面的倾角；或者，承载面与刻蚀腔体的底壁具有倾角，承载体通过倾斜角度调节架安装于刻蚀腔体内，倾斜角度调节架用于调节承载面相对于刻蚀腔体的底壁的倾角。本申请的等离子体刻蚀装置可直接通过倾斜角度调节架调节笼体顶部或者承载体，从而改变刻蚀倾角，提高了改变刻蚀角度的灵活性。
天眼查资料显示，中锃半导体（深圳）有限公司，成立于2023年，位于杭州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本445.6328万。通过天眼查大数据分析，中锃半导体（深圳）有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息11条，此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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