上海
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8月31日，韩国KOSPI指数转涨，早盘一度跌超3%。另外，日本东证股价指数上涨0.25%，报4,157.21点，抹去早盘跌幅。
据财闻海外资讯，SK海力士（SKHY.US）正研究在日本建立生产存储芯片合资企业的可行性，这是其为满足AI需求激增且控制生产成本的考虑方案之一。SK集团董事长崔泰源表示，正考虑日本多地作为共同营运工厂的可能选址，要求电力和水资源充足，但拒透露潜在合作伙伴及具体选址。
据悉，SK海力士正筹划在日本东北部宫城县建设大型存储芯片生产工厂，投资规模或达数百亿美元。若落实，这将是韩国半导体企业首次在日本大规模投资设立生产基地。
为满足AI带来的海量数据存储需求，SK海力士正积极扩产，计划在国内投资54万亿韩元扩建芯片制造设施，并探索海外扩张，上周已为美国印第安纳州芯片封装厂举行动工仪式。
另外，据报道，三星电子正配合英伟达（NVDA.US）要求开发8层第七代高带宽存储器（HBM4E），较原计划的12层、16层方案显著降低堆叠高度，英伟达提出的速度规格为17-18Gbps，较三星初期HBM4E 14.4Gbps的样品速度高出约20%，该产品据悉将用于NVHBM。
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