北京
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法及半导体器件”的专利，公开号CN122662204A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括：提供一衬底，所述衬底包含闪存器件区、第一CMOS器件区和第二CMOS器件区，所述第一CMOS器件区的工作电压大于所述第二CMOS器件区的工作电压；所述闪存器件区形成有闪存栅极，所述第一CMOS器件区形成有第一预制栅极；在所述闪存栅极及所述第一预制栅极的侧壁形成第一侧墙；利用光刻进行刻蚀，形成第二栅极；同时去除所述第一预制栅极的部分第二多晶硅层，在所述第二多晶硅层形成凹槽；在所述闪存栅极和所述第一栅极的第一侧墙的侧壁，以及所述凹槽中所述第二多晶硅层侧壁和所述第二栅极的侧壁形成第二侧墙；在所述闪存栅极、所述第一栅极的凹槽和所述第二栅极的顶部形成金属硅化物。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2951次，专利信息2126条，此外企业还拥有行政许可119个。
上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目939次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7924条，此外企业还拥有行政许可464个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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