北京
国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“闪存器件的制备方法”的专利，公开号CN122662258A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本申请提供一种闪存器件的制备方法，首先在衬垫氧化层上形成第一介质层，同时在衬底的背面形成第二介质层，然后采用等离子体增强化学气相沉积工艺在衬底背面的第二介质层上形成第三介质层，本申请通过在衬底背面采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成一层第三介质层来平衡衬底的拉应力，可以在满足闪存器件浮栅层制备工艺对牺牲介质层（第一介质层）厚度的高需求的同时，保证衬底的压应力与翘曲度不在短时间内发生骤变，避免了后续在沟槽中填充隔离材料层过程中，对衬底有源区表面侧的沟槽拐角位置的压应力增大，导致沟槽拐角位置的衬垫氧化层过薄从而导致漏电流剧增、经时击穿或永久短路的情况，改善了栅氧化层完整性。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目939次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7924条，此外企业还拥有行政许可464个。
华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2951次，专利信息2126条，此外企业还拥有行政许可119个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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