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今年5月，三星宣布开始向全球范围内的主要客户交付业界首批12层堆叠HBM4E样品，进一步巩固自身在下一代HBM市场的领导地位。其初始速率为14Gbps，每堆栈最高可达3.6TB/s的带宽，比起HBM4提高了20%以上，12层堆叠提供了48GB容量，比起上一代产品也提高了30%以上。
据TECHPOWERUP报道，近日三星已经确认，将带来速率为16Gbps的HBM4E。目前HBM4E项目进展顺利，代表了三星在高带宽存储技术领域又一重要里程碑，能够实现令人印象深刻的高速性能。
三星结合了之前在HBM4生产实践中不断完善的前沿技术，在HBM4E上采用了1cnm（第六代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，搭配4nm（SF4）工艺的基础裸片（Base Die），使其具备了更高的工艺稳定性和制造可行性。另外三星还结合了先进的低功耗设计技术，并优化了封装结构，使得HBM4E能效提升了16%，热阻特性比上一代提升了14%以上。
随着速率的提升，每堆栈带宽将提高至4TB/s，考虑到AI加速器可以搭配12个HBM4E，总带宽将相当可观。三星计划根据客户的需求，另外再提供32GB（8层堆叠）和64GB（16层堆叠）配置。三星已经逐步解决了过去几年里DRAM制造方面遇到的技术和良品率问题，提供的HBM4E也更多地被英伟达所重视。
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